时间：2025/9/15 22:02:21
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AT-41511-TR2G是一款由Atmel（现为Microchip Technology）生产的射频（RF）晶体管，主要用于高频放大和射频功率放大应用。该晶体管采用了先进的硅双极工艺技术，具有优异的高频性能和高可靠性。AT-41511-TR2G广泛应用于无线通信、广播设备、测试仪器和射频模块等需要高频信号放大的场合。该器件以表面贴装封装形式提供，便于自动化生产和高频电路设计。
类型：射频晶体管
晶体管类型：NPN
频率范围：DC至250 MHz
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
最大功耗：300 mW
增益（hFE）：最小值100（在2 mA，5 V）
噪声系数：1.8 dB（典型值）
封装类型：SOT-23
AT-41511-TR2G作为一款高性能射频晶体管，具备多个关键特性，适用于广泛的应用场景。
首先，该晶体管的工作频率范围覆盖DC至250 MHz，适用于中高频信号放大，适合在射频前端电路中使用。这使得它在AM/FM广播接收器、射频混频器和中频放大器中表现出色。
其次，AT-41511-TR2G采用了先进的硅双极工艺制造，具备良好的线性度和低噪声性能。其噪声系数为1.8 dB（典型值），这使得它在接收端信号放大中能够有效降低系统噪声，提高信号的清晰度和稳定性。此外，晶体管的增益（hFE）最低为100，在低电流条件下仍能保持较高的放大能力，适用于低功耗设计。
该器件的最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为30 V，具有较高的耐压能力，适合在较宽的电源电压范围内工作。此外，其最大功耗为300 mW，使其在SOT-23表面贴装封装下具备良好的热稳定性，适用于紧凑型射频电路设计。
AT-41511-TR2G还具有良好的温度稳定性和长期可靠性，能够在工业级温度范围内稳定工作，适合用于工业设备、测试仪器和通信基础设施。其SOT-23封装不仅体积小巧，便于PCB布局，而且具备良好的高频特性，适合高频电路设计中的微带线布局需求。
综上所述，AT-41511-TR2G凭借其宽频率范围、低噪声、高增益、良好的耐压能力和可靠的封装形式，成为射频信号放大应用中的优选晶体管。
AT-41511-TR2G主要用于射频信号放大、中频放大器、射频混频器、无线通信设备、广播接收器、测试测量仪器、射频模块前端电路和低噪声放大器等应用场景。它适用于需要高性能、低噪声和高稳定性的射频电子系统，特别是在消费电子、工业控制和通信基础设施中广泛应用。
2N3904, BFQ19, BFG193, MMBF41511
