时间：2025/9/22 10:26:20
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MB15E07SRPFT-G-BND-EFE1是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的高性能、低功耗锁相环（PLL）频率合成器芯片，广泛应用于无线通信系统、射频（RF）模块、基站设备、有线电视（CATV）系统以及各种需要高精度频率生成的电子设备中。该器件属于Renesas MB15E系列，专为满足高频、高稳定性和低相位噪声需求而设计，采用先进的BiCMOS工艺制造，确保在高频工作条件下仍能保持出色的信号完整性和稳定性。MB15E07SRPFT-G-BND-EFE1集成了完整的PLL功能模块，包括低噪声鉴相器（PFD）、可编程分频器、电荷泵和输出缓冲器，支持灵活的参考输入和反馈路径配置，便于实现精确的频率合成。该芯片支持宽范围的工作电压，通常在3.3V或5V电源下稳定运行，并具备良好的温度适应性，适用于工业级和商业级应用场景。其封装形式为小型化表面贴装QFN（Quad Flat No-lead），有助于节省PCB空间并提升系统集成度。此外，该器件还具备低功耗待机模式和可编程寄存器接口，通过串行接口（如三线式或四线式串行接口）进行控制，方便与微控制器或数字信号处理器进行通信，实现动态频率调整和系统优化。
型号：MB15E07SRPFT-G-BND-EFE1
制造商：Renesas Electronics
类型：锁相环（PLL）频率合成器
工作电压：3.0V 至 5.5V
最大工作频率：4.8 GHz
参考输入频率：最高 200 MHz
分频比：可编程，支持整数N分频
相位噪声：典型值 -110 dBc/Hz @ 10 kHz 偏移
输出频率范围：400 MHz 至 4.8 GHz
输出电平：典型值 -3 dBm
调谐灵敏度：典型值 30 MHz/V
封装类型：QFN-16
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：串行接口（支持三线制）
功耗：典型值 35 mA @ 3.3V
MB15E07SRPFT-G-BND-EFE1具备多项先进特性，使其成为高性能频率合成应用中的理想选择。首先，该芯片内置高精度整数N分频锁相环架构，支持广泛的输出频率范围（最高可达4.8 GHz），能够满足从UHF到微波频段的多种射频应用需求。其内部集成的低噪声鉴相器和高增益压控振荡器（VCO）驱动能力，确保了极低的相位噪声性能，典型值在10 kHz偏移下达到-110 dBc/Hz，这对于要求高信噪比和高频率稳定性的通信系统至关重要。其次，该器件支持灵活的参考时钟输入配置，兼容晶体振荡器或外部时钟源输入，并可通过串行接口对分频比、电荷泵电流、电源管理模式等关键参数进行编程设置，极大提升了系统设计的灵活性。芯片采用BiCMOS工艺制造，在保证高频性能的同时实现了较低的功耗，典型工作电流为35 mA（3.3V供电），适合对能效有要求的应用场景。
此外，MB15E07SRPFT-G-BND-EFE1集成了可编程电荷泵输出，允许用户根据外部环路滤波器的设计需求调节电流输出，从而优化环路带宽和锁定时间。其串行控制接口支持三线制协议（DATA、CLK、LE），简化了与主控MCU或FPGA的连接布线，降低了系统复杂度。该芯片还具备上电复位功能和待机模式，可通过指令关闭RF输出以节省功耗，适用于需要间歇工作的便携式或远程射频设备。封装方面，采用16引脚QFN无铅封装，具有优良的热性能和电气性能，同时符合RoHS环保标准。整体而言，该器件在频率精度、相位噪声、集成度和可配置性之间实现了良好平衡，是现代无线基础设施和宽带通信系统中不可或缺的核心组件。
MB15E07SRPFT-G-BND-EFE1主要应用于需要高稳定性和低相位噪声频率源的射频和通信系统中。典型应用包括蜂窝基站收发单元（如GSM、WCDMA、LTE和5G小基站）、微波点对点通信链路、有线电视（CATV）和光纤网络中的本地振荡器（LO）生成、测试与测量仪器中的信号源模块、软件定义无线电（SDR）平台以及工业、科学和医疗（ISM）频段无线设备。在基站系统中，该芯片可用于生成本振信号，驱动混频器完成上下变频操作，确保信号传输的准确性和抗干扰能力。在CATV系统中，其高输出频率和低噪声特性可有效支持多频道信号合成与分配，避免串扰和失真。此外，由于其支持串行编程和动态频率切换，也常用于需要跳频或频率调谐功能的雷达系统、无线传感器网络和专用无线通信设备。得益于其紧凑的QFN封装和宽温工作能力，该芯片同样适用于空间受限且环境条件复杂的嵌入式系统和户外通信模块。无论是在固定安装还是移动通信场景下，MB15E07SRPFT-G-BND-EFE1都能提供可靠、精准的频率合成解决方案。
MB15E07ST, MB15E09FRPFT-G, LMX2594, ADF4351, PE3290
