ASML-5822-BLKG 是 Broadcom(安华高)生产的一款高性能 GaAs(砷化镓)pHEMT(伪高电子迁移率晶体管)场效应晶体管(FET),常用于射频和微波放大器应用。这款晶体管以其低噪声、高增益和良好的线性度而闻名,适合在无线通信、雷达、测试设备和其他高频电子系统中使用。ASML-5822-BLKG 采用先进的制造工艺,提供稳定的性能和高可靠性,是许多高频放大器设计中的理想选择。
频率范围:10 MHz - 4 GHz
漏极电流(Id):典型值 100 mA
工作电压(Vds):12V
输出功率(Pout):28 dBm(典型值)
增益:18 dB(典型值)
噪声系数:0.6 dB(典型值)
输入驻波比(VSWR):1.5:1(典型值)
输出驻波比(VSWR):3:1(典型值)
封装类型:SOT-89
ASML-5822-BLKG 的核心特性之一是其卓越的低噪声性能,噪声系数仅为 0.6 dB,使其非常适合用于前端接收器放大器,以提高系统的整体灵敏度。
该器件的频率范围覆盖从 10 MHz 到 4 GHz,适用于多种射频应用,包括蜂窝通信、Wi-Fi 前端、微波通信等。
其增益典型值为 18 dB,能够在不引入过多噪声的情况下实现较高的信号放大倍数,确保信号链路的完整性。
在输出功率方面,ASML-5822-BLKG 可提供高达 28 dBm 的输出功率,具备良好的功率处理能力,适用于中等功率的射频放大场景。
输入和输出驻波比分别为 1.5:1 和 3:1,表现出良好的阻抗匹配能力,有助于减少信号反射,提高系统稳定性。
该晶体管的工作电压为 12V,漏极电流为 100 mA,功耗较低,适合电池供电或功耗敏感的应用场景。
ASML-5822-BLKG 采用 SOT-89 封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,便于在高密度 PCB 设计中安装和布局。
由于其 GaAs pHEMT 技术的使用,该晶体管具备高电子迁移率和快速响应能力,适合用于高频、高速的射频电路设计。
此外,ASML-5822-BLKG 的高线性度特性使其在多载波通信系统中表现优异,能够有效减少信号失真,提高系统频谱效率。
ASML-5822-BLKG 主要用于射频和微波放大器设计,尤其是在低噪声放大器(LNA)、中功率放大器和驱动放大器中广泛应用。
在无线通信系统中,该晶体管常用于基站、无线接入点、中继器等设备中的射频前端模块,以提升接收信号的强度和质量。
该器件也广泛应用于测试和测量设备,如频谱分析仪、信号发生器等,用于构建高性能的射频信号链。
在雷达和电子战系统中,ASML-5822-BLKG 可用于发射和接收模块中的功率放大和信号增强,提高系统的探测和识别能力。
此外,该晶体管还可用于工业控制、航空航天和军事通信系统中的高频放大电路,满足对高可靠性、高性能的严格要求。
对于业余无线电爱好者和射频工程师来说,ASML-5822-BLKG 是一个非常受欢迎的元件,广泛用于自制的射频放大器、收发器和实验性通信设备中。
在消费类电子产品中,该器件可用于高性能 Wi-Fi 路由器、蓝牙模块、GPS 接收器等设备,以提高信号的稳定性和覆盖范围。
MGA-635P8, ATF-54143, BFP420, BFU550F