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ASML-5822-BLKG 发布时间 时间:2025/9/16 4:21:22 查看 阅读:12

ASML-5822-BLKG 是 Broadcom(安华高)生产的一款高性能 GaAs(砷化镓)pHEMT(伪高电子迁移率晶体管)场效应晶体管(FET),常用于射频和微波放大器应用。这款晶体管以其低噪声、高增益和良好的线性度而闻名,适合在无线通信、雷达、测试设备和其他高频电子系统中使用。ASML-5822-BLKG 采用先进的制造工艺,提供稳定的性能和高可靠性,是许多高频放大器设计中的理想选择。

参数

频率范围:10 MHz - 4 GHz
  漏极电流(Id):典型值 100 mA
  工作电压(Vds):12V
  输出功率(Pout):28 dBm(典型值)
  增益:18 dB(典型值)
  噪声系数:0.6 dB(典型值)
  输入驻波比(VSWR):1.5:1(典型值)
  输出驻波比(VSWR):3:1(典型值)
  封装类型:SOT-89

特性

ASML-5822-BLKG 的核心特性之一是其卓越的低噪声性能,噪声系数仅为 0.6 dB,使其非常适合用于前端接收器放大器,以提高系统的整体灵敏度。
  该器件的频率范围覆盖从 10 MHz 到 4 GHz,适用于多种射频应用,包括蜂窝通信、Wi-Fi 前端、微波通信等。
  其增益典型值为 18 dB,能够在不引入过多噪声的情况下实现较高的信号放大倍数,确保信号链路的完整性。
  在输出功率方面,ASML-5822-BLKG 可提供高达 28 dBm 的输出功率,具备良好的功率处理能力,适用于中等功率的射频放大场景。
  输入和输出驻波比分别为 1.5:1 和 3:1,表现出良好的阻抗匹配能力,有助于减少信号反射,提高系统稳定性。
  该晶体管的工作电压为 12V,漏极电流为 100 mA,功耗较低,适合电池供电或功耗敏感的应用场景。
  ASML-5822-BLKG 采用 SOT-89 封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,便于在高密度 PCB 设计中安装和布局。
  由于其 GaAs pHEMT 技术的使用,该晶体管具备高电子迁移率和快速响应能力,适合用于高频、高速的射频电路设计。
  此外,ASML-5822-BLKG 的高线性度特性使其在多载波通信系统中表现优异,能够有效减少信号失真,提高系统频谱效率。

应用

ASML-5822-BLKG 主要用于射频和微波放大器设计,尤其是在低噪声放大器(LNA)、中功率放大器和驱动放大器中广泛应用。
  在无线通信系统中,该晶体管常用于基站、无线接入点、中继器等设备中的射频前端模块,以提升接收信号的强度和质量。
  该器件也广泛应用于测试和测量设备,如频谱分析仪、信号发生器等,用于构建高性能的射频信号链。
  在雷达和电子战系统中,ASML-5822-BLKG 可用于发射和接收模块中的功率放大和信号增强,提高系统的探测和识别能力。
  此外,该晶体管还可用于工业控制、航空航天和军事通信系统中的高频放大电路,满足对高可靠性、高性能的严格要求。
  对于业余无线电爱好者和射频工程师来说,ASML-5822-BLKG 是一个非常受欢迎的元件,广泛用于自制的射频放大器、收发器和实验性通信设备中。
  在消费类电子产品中,该器件可用于高性能 Wi-Fi 路由器、蓝牙模块、GPS 接收器等设备,以提高信号的稳定性和覆盖范围。

替代型号

MGA-635P8, ATF-54143, BFP420, BFU550F

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ASML-5822-BLKG参数

  • 数据列表ASML-5822
  • 标准包装100
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型引脚 + 肖特基,1 对串联连接
  • 电压 - 峰值反向(最大)60V,22V
  • 电流 - 最大1A
  • 电容@ Vr, F0.8pF @ 20V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F600 毫欧 @ 10mA,100MHz
  • 功率耗散(最大)-
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SOT-323
  • 包装散装
  • 其它名称516-2561ASML-5822-BLKG-ND