ASM4518807T-2503 时间：2025/11/28 10:58:25 阅读：23

ASM4518807T-2503 是一款由 American Semiconductor, Inc. 生产的表面贴装整流二极管阵列，采用独特的双芯片封装设计，专为高密度、高性能的电源管理应用而优化。该器件集成了两个独立的肖特基势垒二极管，采用共阴极（Common Cathode）配置，即两个二极管的阴极在内部连接在一起，并通过一个公共引脚引出，而两个阳极则分别作为独立的输入端。这种结构特别适用于需要双路独立整流但共享同一参考地的电路设计，例如在双通道 DC-DC 转换器、同步整流辅助电路或双电源轨的反向电压保护中。ASM4518807T-2503 的命名遵循制造商的标准编码规则，其中 'ASM' 代表 American Semiconductor，'4518' 可能指代特定的产品系列或封装类型，'807T' 指明其电气特性和温度等级，'-2503' 则很可能表示其卷带包装规格或批次代码。该器件以其低正向压降、快速开关速度和高可靠性著称，能够在保证高效能量转换的同时，最大限度地减少功率损耗和发热。

参数

型号：ASM4518807T-2503
　　制造商：American Semiconductor, Inc.
　　器件类型：肖特基二极管阵列
　　配置：双二极管，共阴极
　　最大重复峰值反向电压 (VRRM)：40V
　　最大直流阻断电压 (VR)：40V
　　最大正向整流电流 (IF(AV))：1.5A
　　每芯片最大正向浪涌电流 (IFSM)：30A
　　最大正向压降 (VF)：600mV @ 1.5A, 25°C
　　反向漏电流 (IR)：100μA @ 40V, 25°C
　　工作结温范围 (TJ)：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围 (TSTG)：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SMA (DO-214AC)
　　安装类型：表面贴装 (SMT)

特性

ASM4518807T-2503 的核心特性源于其采用的肖特基势垒技术。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管利用金属-半导体接触形成势垒，这从根本上消除了少数载流子的存储效应，从而实现了极快的开关速度。这一特性使得 ASM4518807T-2503 在高频开关电源应用中表现出色，能够有效减少开关过程中的动态损耗，提高整体电源效率。更重要的是，肖特基二极管的正向导通压降 (VF) 远低于同等规格的硅PN结二极管，通常仅为0.3V至0.6V。对于 ASM4518807T-2503，其在1.5A电流下的最大VF为600mV，这意味着在满载工作时，单个二极管的功率损耗仅为 P=I×V = 1.5A × 0.6V = 0.9W。相比于VF高达1.0V以上的普通整流管，其功耗降低了近40%，这对于紧凑型电子设备的热管理至关重要，可以显著降低对散热器的需求，提升产品的小型化和可靠性。
　　该器件的双二极管共阴极配置提供了极大的电路设计灵活性。它允许工程师在一个小型SMA封装内集成两个功能单元，节省了宝贵的PCB空间，特别适合高密度的便携式设备和通信模块。每个二极管都具有独立的阳极，可以并行处理两路不同的输入信号或电源，同时通过共用的阴极简化了接地回路的设计。这种结构常用于双路输出的同步降压转换器中，作为下管续流二极管的“保险”或辅助元件，或者在电池供电系统中实现双电池输入的自动选择与防倒灌。其1.5A的平均整流电流能力足以满足大多数中等功率应用的需求。此外，器件具备良好的热稳定性，能在-55°C至+125°C的宽结温范围内稳定工作，确保了在严苛环境下的可靠运行。SMA表面贴装封装不仅便于自动化生产，还拥有较好的散热性能，使其成为现代电子制造中的理想选择。

应用

ASM4518807T-2503 广泛应用于各类需要高效、紧凑型整流解决方案的电子设备中。在消费电子领域，它常见于智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理系统，用于电池充电电路中的防反接保护、多路DC-DC转换器的续流路径以及USB接口的电源隔离。在通信基础设施中，该器件被用于基站电源模块、光模块和路由器内的低压直流配电网络，以实现高效的电压调节和电源轨间的噪声隔离。在工业控制和自动化设备中，ASM4518807T-2503 可用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O接口保护、传感器信号调理电路以及电机驱动器的辅助电源整流。此外，由于其低VF和快速响应特性，它也适用于太阳能充电控制器、LED驱动电源等能源转换应用，最大限度地减少能量在转换过程中的损失。在汽车电子领域，尽管其额定电压为40V，略低于典型的12V/24V车载系统，但在某些低压子系统或经过稳压后的辅助电源中，它仍可作为高效的整流和保护元件使用。