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ASC02M2-12 发布时间 时间:2025/8/22 5:41:08 查看 阅读:14

ASC02M2-12 是一款由 Advanced Special Components (ASC) 生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于高性能的功率开关器件。该型号专为高效率、高功率密度的应用而设计,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化系统等。ASC02M2-12 采用TO-220封装,具备良好的热管理和电气性能,能够在高温和高压环境下稳定工作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):1200V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):2A
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TO-220
  导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(最大)
  功率耗散(Pd):50W
  输入电容(Ciss):300pF(典型)
  上升时间(tr):80ns
  下降时间(tf):35ns

特性

ASC02M2-12 是一款适用于高电压应用的功率MOSFET,其主要特性包括高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性。该器件的漏极-源极电压(Vds)为1200V,能够在高压环境中提供可靠的开关性能。其最大连续漏极电流为2A,适合中高功率的开关应用。
  这款MOSFET的栅极-源极电压范围为±20V,确保了在不同驱动条件下仍能稳定工作。其导通电阻(Rds(on))最大为1.2Ω,有效降低了导通损耗,提高了整体效率。此外,该器件具有较低的输入电容(Ciss为300pF),有助于减少开关损耗并提高响应速度。
  ASC02M2-12 采用TO-220封装,具有良好的散热性能,能够在-55°C至150°C的温度范围内工作。这种封装形式也便于安装和散热设计,适用于各种工业和电源应用。其上升时间和下降时间分别为80ns和35ns,确保了快速的开关动作,适用于高频开关环境。
  此外,该器件的功率耗散为50W,能够在较高负载下保持稳定运行。ASC02M2-12 的设计考虑了热管理和可靠性,在高电压、高电流应用中表现出色,适用于电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动和工业控制系统等场景。

应用

ASC02M2-12 主要应用于需要高电压耐受能力的功率电子系统中。常见用途包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率开关部分。其高耐压特性使其在高压直流(HVDC)系统、LED照明驱动器和电源管理模块中也具有广泛的应用潜力。

替代型号

IXTP2N150、FDPF12N50、IRFHV120、SiHP12N50C

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