容量：1Mbit（128K x 8）
　　电压范围：4.5V 至 5.5V
　　访问时间（tRC）：25ns
　　封装类型：TQFP
　　引脚数：52
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　读取周期时间：25ns
　　写入周期时间：25ns
　　待机电流：最大 10mA
　　封装尺寸：取决于具体型号

AS58C1001ECA-25/883C 是一款高速SRAM，具备出色的性能和稳定性。其主要特点包括高速访问时间（仅需25ns），能够满足对系统响应速度有严格要求的应用场景。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，降低了功耗，并提升了整体稳定性。此外，其支持宽电压输入范围（4.5V至5.5V），适应不同电源条件下的运行需求。
　　此款SRAM在设计上充分考虑了可靠性和抗干扰能力，适合用于复杂或极端环境中的嵌入式系统、通信设备、工业控制系统以及航天航空设备。其符合MIL-STD-883C标准的要求，确保了在高温、低温及振动等恶劣条件下仍能保持稳定运行。
　　AS58C1001ECA-25/883C 提供了多种封装形式以适应不同的PCB布局需求，其中包括常见的TQFP封装。这种封装不仅便于安装和焊接，还有助于提高电路板的整体空间利用率。此外，该器件的低待机电流特性也使其非常适合用于需要节能设计的系统中。

AS58C1001ECA-25/883C SRAM 广泛应用于多个高端领域，包括但不限于工业自动化控制系统、网络与通信设备、测试测量仪器、医疗电子设备以及航空航天和国防电子产品。由于其高可靠性和优异的性能，它特别适合用于需要快速数据访问和高稳定性的嵌入式系统和实时控制系统中。例如，在通信设备中，它可以作为高速缓存来提升系统吞吐量；在工业控制中，则可作为主存储器或临时数据缓冲区使用；而在航空航天领域，它的耐受极端环境的能力使其成为理想的选用元件。

IDT71V128L15PFGI, CY62148EVLL