时间:2025/12/26 8:28:06
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AS431IBNTR-G1是一款由AMS(现为ams-OSRAM AG)生产的低电压、三端可调稳压基准源,广泛应用于需要高精度电压参考的电路中。该器件在功能上与TL431等经典基准源类似,但针对低工作电压进行了优化,可在较低的电源电压下稳定工作,适用于电池供电设备、便携式电子产品及各类模拟信号链系统。AS431系列分为多种精度等级和封装形式,其中AS431IBNTR-G1的后缀表明其为工业级温度范围、固定参考电压输出、采用SOT-23-3小型化表面贴装封装,并以卷带包装形式供应,适合自动化贴片生产。该器件通过外部两个电阻即可设置输出电压,典型参考电压为1.24V,可在2.3V至5.5V的宽电源电压范围内工作,提供高达30mA的输出电流驱动能力。其内部集成了精密带隙基准核心、误差放大器和推挽输出级,确保了良好的温度稳定性、动态响应和负载调整率。由于其高集成度、小尺寸和优异的电气性能,AS431IBNTR-G1被广泛用于电源管理、ADC/DAC参考源、电压监测、反馈控制环路等多种应用场景。
型号:AS431IBNTR-G1
制造商:ams-OSRAM
器件类型:可调精密并联稳压器
参考电压:1.24V(典型值)
参考电压容差:±1%(初始精度)
工作电压范围:2.3V 至 5.5V
最大输出电流:30mA
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装类型:SOT-23-3
引脚数:3
功耗:约300mW(取决于应用)
动态阻抗:0.2Ω(典型值,f = 10kHz)
温度系数:30ppm/°C(典型值)
响应时间:1μs(典型值)
阴极-阳极电容:15pF(典型值)
AS431IBNTR-G1具备出色的电压精度与温度稳定性,其内部采用先进的带隙基准设计技术,能够在宽温度范围和输入电压变化条件下保持稳定的1.24V参考输出。该器件的初始电压容差为±1%,经过高温老化处理,长期稳定性好,适用于对精度要求较高的测量与控制系统。其工作电压低至2.3V,使其能够兼容单节锂电池或3.3V电源系统,特别适合低功耗和便携式应用。相比传统TL431需至少2.5V以上才能启动,AS431IBNTR-G1扩展了在低压环境下的适用性。
该芯片具有快速的动态响应能力,响应时间仅为1微秒左右,能够有效应对负载突变带来的电压波动,提升系统的瞬态稳定性。其输出阻抗极低,在高频下动态阻抗仅为0.2Ω,表现出优异的噪声抑制能力和电源纹波抑制性能。此外,AS431IBNTR-G1的输出级采用推挽结构,支持双向输出电流调节,既可吸收也可提供电流,增强了在反馈回路中的驱动灵活性。
在可靠性方面,该器件符合AEC-Q100汽车级标准的部分等级要求,具备良好的ESD防护能力(HBM > 2kV),并支持宽达-40°C至+125°C的工作温度范围,适用于工业、消费类及部分车载电子设备。SOT-23-3封装体积小巧,节省PCB空间,同时便于热管理与自动化生产。器件无铅且符合RoHS环保规范,支持绿色制造。内置的频率补偿电路减少了外部元件需求,简化了设计流程。整体而言,AS431IBNTR-G1是一款高性能、高集成度的基准稳压源,兼顾精度、速度与能效,是现代精密模拟电路的理想选择。
AS431IBNTR-G1广泛应用于各类需要稳定电压参考的电子系统中。常见用途包括开关电源和线性稳压器的反馈控制环路,作为误差放大器的基准源,实现高精度输出电压调节。在DC-DC转换器、AC-DC适配器和LED驱动电源中,它常与光耦配合使用,构成隔离式反馈路径,确保输出电压稳定且符合安全隔离要求。
在数据转换系统中,该器件可为ADC、DAC或传感器信号调理电路提供精确的参考电压,提升测量精度和系统线性度。其低噪声和高稳定性使其适用于医疗设备、工业仪表和测试仪器等高精度场合。此外,在电池供电设备如智能手机、可穿戴设备和物联网终端中,AS431IBNTR-G1因其低压工作能力而成为理想的电压监控与管理元件,可用于过压保护、欠压检测或充电状态指示电路。
在工业自动化和汽车电子领域,该芯片也用于PLC模块、传感器接口、电机控制器中的电压基准生成。其小型化封装和宽温特性使其适应严苛环境下的长期运行。此外,还可用于替代传统的分立式稳压二极管或Zener基准,提供更优的温度特性和更低的功耗表现。总之,凡是需要可调、稳定、高精度电压参考的应用场景,AS431IBNTR-G1均能发挥重要作用。
TL431ACDBZR
AP431ANTRG1
MCP1541T-12E/TT
LM4040AIM3-12/NOPB
REF3012AIDBZR