AS267是一种低噪声、高线性度的射频(RF)放大器芯片,广泛应用于无线通信系统中,如蜂窝基站、微波链路、测试设备和其他射频接收系统。该器件通常工作在宽频率范围内,具有出色的增益和噪声系数性能,适合用于前端接收链中的低噪声放大器(LNA)环节。AS267采用高性能的GaAs(砷化镓)工艺制造,能够在高频下保持稳定的工作状态,并提供高可靠性。
工作频率范围:50 MHz - 4 GHz
噪声系数:0.5 dB @ 900 MHz
增益:18 dB @ 900 MHz
输出IP3:+30 dBm
工作电压:5V
工作电流:60 mA
封装类型:SOT-89
输入/输出阻抗:50Ω
AS267具备低噪声系数和高增益的特点,能够在广泛的频率范围内保持稳定的性能。其高线性输出特性使其在多载波和高动态范围应用中表现出色。此外,该芯片具有良好的温度稳定性,可在工业级温度范围内工作(-40°C至+85°C),适合各种严苛环境下的应用。AS267的高输入三阶截距点(IIP3)使其在存在强干扰信号的情况下仍能保持良好的信号完整性。该芯片的SOT-89封装形式便于集成到PCB设计中,同时具备良好的散热性能。
AS267广泛应用于无线通信基础设施,如GSM、CDMA、WCDMA基站、微波通信设备、无线本地环路(WLL)、频谱分析仪和测试测量仪器中的低噪声放大器环节。此外,它也适用于需要高线性度和低噪声性能的宽带接收器前端设计。
HMC414LP5E
MAX2673
BGA2884