时间：2025/5/8 18:13:58
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AS0B226-S99Q-7H 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频条件下保持高效的功率转换。此外，AS0B226-S99Q-7H 还具有优异的热性能和可靠性，适合要求严格的工业及汽车应用环境。
该器件为 N 沟道增强型 MOSFET，其设计旨在降低功耗并提升系统效率。由于其出色的电气特性和封装形式，它被广泛用于需要紧凑型设计和高效能表现的应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1800pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
AS0B226-S99Q-7H 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可有效减少导通损耗，并提高整体效率。
2. 高速开关能力，能够支持高达 1MHz 的开关频率，适用于高频应用。
3. 内置静电防护功能，提高了器件的抗干扰能力和稳定性。
4. 热阻低，散热性能优越，确保在高负载条件下的长期稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 可靠性高，经过严格的质量控制流程，适合恶劣的工作环境。
AS0B226-S99Q-7H 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换和功率管理。
4. 新能源领域，如太阳能逆变器和电动车控制器中的功率转换模块。
5. 高效 DC-DC 转换器，尤其是对体积和效率有较高要求的设计。
6. 汽车电子系统中的各类功率控制单元。
IRFP260N
STP170N10F
FDP177N10A
