AR1500-AL1C-R是一款由Alliance Memory公司生产的高性能、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有高速读写能力和稳定性,适用于需要快速数据访问的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备等领域。AR1500-AL1C-R采用55nm工艺节点,封装为48-TSOP(薄型小外形封装),工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),确保在各种环境条件下稳定运行。
容量:1Mbit
组织结构:128K × 8位
电源电压:2.3V 至 3.6V
最大访问时间:55ns
封装类型:48-TSOP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
读写模式:异步
输出类型:三态输出
封装尺寸:8mm × 14mm
封装引脚数:48
功耗:典型值为55mA(待机模式下为10mA)
AR1500-AL1C-R作为一款异步SRAM,具备高速访问能力和低功耗特性,适用于多种高性能嵌入式系统。其2.3V至3.6V的宽电压范围设计,使得该器件能够兼容多种电源系统,从而提升设计的灵活性。55ns的访问时间保证了其在高速数据处理中的稳定性,满足实时应用的需求。
该SRAM采用CMOS工艺制造,确保了高噪声抑制能力和低漏电流,从而提高了系统的整体稳定性。此外,其三态输出功能允许将多个存储器设备连接到同一总线系统,从而简化了系统设计。
AR1500-AL1C-R的封装形式为48-TSOP,体积小巧,适合空间受限的设计。其工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在各种恶劣环境下稳定运行,适用于工业控制、通信设备、汽车电子和消费类电子产品。
该器件的待机模式下功耗极低,仅为10mA,有助于延长电池供电设备的使用时间。此外,其高速访问能力使得数据读写延迟极低,提升了系统的响应速度和处理能力。
AR1500-AL1C-R的设计符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,符合现代电子产品的环保要求。其高可靠性和稳定性使其成为多种关键应用的理想选择。
AR1500-AL1C-R广泛应用于各种嵌入式系统和工业电子设备中。其高速访问能力和低功耗特性使其适用于需要快速数据处理的工业控制系统,如PLC(可编程逻辑控制器)和自动化设备。
在通信设备中,该SRAM可用于高速缓存和数据缓冲,提高数据传输效率。其稳定的性能和宽电压范围设计使其适用于各种通信模块和网络设备。
此外,AR1500-AL1C-R也适用于消费类电子产品,如智能家电、手持设备和便携式仪器。其低功耗设计有助于延长电池供电设备的续航时间,而其小巧的封装形式则节省了PCB空间。
在汽车电子系统中,该SRAM可用于车载控制系统、仪表盘和信息娱乐系统,提供快速的数据访问和稳定的操作性能。其工业级温度范围确保在极端环境条件下仍能可靠运行。
IS61LV10248ALLB4-55TLI, CY62148EALL15ZS, IDT71V128SAALL25KG