时间：2025/12/26 20:32:40
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APM9926AKC是一款由Diodes Incorporated生产的双通道P沟道增强型MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、低电压应用而设计，尤其适用于电源管理、负载开关和电池供电设备中的功率控制场景。其封装形式为SO-8，具有较小的占位面积，适合空间受限的应用场合。APM9926AKC内部集成了两个完全相同的P沟道MOSFET，每个通道均可独立操作，具备良好的热稳定性和开关性能，广泛应用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及各类消费类电子设备中作为高端开关或反向电流阻断器件。
该器件的关键优势在于其低导通电阻（RDS(on)），能够在较低的栅极驱动电压下实现高效的功率传输，从而减少系统功耗并提升整体能效。此外，APM9926AKC符合RoHS环保标准，并具备良好的ESD防护能力，增强了在实际使用环境中的可靠性。由于其优异的电气特性和紧凑的封装设计，APM9926AKC成为现代低功耗、高密度电路设计中的理想选择之一。
型号：APM9926AKC
类型：双P沟道MOSFET
封装：SO-8
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
存储温度范围：-65°C ~ 150°C
最大漏源电压（VDS）：-30V
最大连续漏极电流（ID）：-4.4A
最大脉冲漏极电流（IDM）：-12A
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -10V：37mΩ（典型值）
导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -4.5V：45mΩ（典型值）
导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -2.5V：60mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：10nC（典型值）
输入电容（Ciss）：470pF（典型值）
阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
APM9926AKC采用了先进的TrenchFET工艺技术，这种结构显著降低了器件的导通电阻，同时提高了单位面积下的电流承载能力。其低RDS(on)特性使得在电池供电系统中能够有效减少功率损耗，延长设备续航时间。该器件特别优化了在低栅极驱动电压下的性能表现，在-4.5V甚至-2.5V的VGS条件下仍能保持较低的导通电阻，这使其非常适合用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。
每个通道均具备优异的热稳定性与电流均衡能力，确保在多负载切换或并联使用时不会因温升不均而导致局部过热问题。器件内部结构经过优化，具有较低的寄生参数，包括输入电容和反馈电容，有助于提高开关速度并降低开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。同时，其SO-8封装不仅节省PCB空间，还提供了良好的散热路径，通过适当的布局可将热量有效地传导至PCB地平面，进一步增强热管理能力。
APM9926AKC具备较强的抗静电放电（ESD）能力，HBM模型下可达±2000V，提升了在生产装配和现场使用中的可靠性。此外，该器件无铅且符合RoHS指令要求，支持绿色环保制造。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其可在严苛环境下稳定运行，适用于工业级和消费级双重应用场景。内置的体二极管也经过优化，具备较快的反向恢复特性，减少了在感性负载切换时可能产生的电压尖峰风险。
APM9926AKC常用于各类需要高效电源开关控制的电路中，典型应用包括便携式电子设备中的电源路径管理、电池充电与放电控制、负载开关模块、热插拔电路以及DC-DC转换器中的高端开关配置。在智能手机和平板电脑中，它可用于主电源的上管开关，实现系统上电时序控制或待机模式下的电源切断功能，以降低静态功耗。在笔记本电脑和其他移动设备中，该器件可用于多电源域之间的切换控制，例如主电池与备用电池之间的自动切换，或者外接电源与内部电池之间的优先级选择。
此外，APM9926AKC也可用于USB电源开关、SD卡接口电源控制等需要快速响应和低导通损耗的场合。在工业控制系统中，它可以作为继电器替代方案用于直流电机驱动或电磁阀控制，提供更长的使用寿命和更高的可靠性。由于其双通道独立结构，还可用于构建简单的双路电源分配网络，实现两个独立负载的独立启停控制。在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于防止电池反接或实现充放电回路的隔离控制。总体而言，APM9926AKC凭借其高性能、小尺寸和高集成度，已成为现代电源管理设计中不可或缺的核心元件之一。
SI3456DV-T1-E3
NTR4501PT1G
FDMC86260
