容量：256K x 16位
　　电压：2.3V至3.6V（宽电压范围）
　　访问时间：12ns
　　封装类型：TSOP-II
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装尺寸：54-TSOP（18.4mm x 20.0mm）
　　接口类型：异步SRAM
　　功耗：低待机电流，典型值为10mA
　　封装材料：无铅环保材料

AR1216G-BM2D是一款高性能SRAM芯片，具备低功耗与高速访问能力。其12ns的访问时间确保了在高速数据处理应用中的高效性能。该芯片的工作电压范围较宽，支持从2.3V到3.6V的供电，增强了其在不同系统中的适应性。此外，它采用了低待机电流设计，在非活跃状态下可显著降低功耗，非常适合对能耗敏感的便携式设备。
　　该SRAM芯片的封装形式为TSOP-II，具有良好的热稳定性和电气性能，适合在高密度PCB布局中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级应用的严苛环境要求，适用于工业控制、通信设备、网络设备、消费电子产品等多种场景。
　　此外，AR1216G-BM2D符合RoHS环保标准，采用无铅封装材料，符合现代电子产品的环保要求。其异步接口设计简化了与外部控制器的连接，降低了系统设计的复杂性，并提升了系统的稳定性。

AR1216G-BM2D适用于多种需要高速缓存和临时数据存储的应用场景。典型应用包括工业控制设备、网络路由器和交换机、通信模块、嵌入式系统、消费类电子产品（如数字电视、机顶盒）、测试测量设备以及医疗电子设备等。其高可靠性和宽温度范围也使其适合在恶劣工业环境中使用。

AS7C256A-12TCN、CY62167EVLL-12Z、IDT71V126SA12PFG、IS61LV25616-12B4I