AQV259 是一款由 Rohm 公司生产的 N沟道增强型功率 MOSFET,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该器件采用 TO-252 封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合在高效率、高频应用中使用。
该器件的工作电压范围宽,能够在较恶劣的电气环境下稳定运行,同时具备出色的热性能表现。
最大漏源极电压:60V
最大栅源极电压:±20V
持续漏极电流:32A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷:18nC
开关时间:ton=17ns, toff=15ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
AQV259 的核心优势在于其低导通电阻,仅为 4.5mΩ(典型值),从而大幅降低传导损耗,提高系统效率。此外,该器件具备快速开关能力,支持高频操作,能够减少磁性元件体积并优化整体设计。
其封装形式 TO-252 提供良好的散热性能,结合较高的结温耐受能力(最高可达 +175℃),使得 AQV259 在工业及汽车环境中均能保持可靠运行。
该 MOSFET 还具备强大的雪崩能量承受能力,增强了系统的鲁棒性,使其适用于需要高可靠性的场合,如逆变器、电动工具驱动和不间断电源(UPS)。
另外,AQV259 满足 RoHS 标准,符合绿色环保要求。
AQV259 广泛用于多种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机控制与驱动
4. 电池管理系统 (BMS)
5. 工业自动化设备中的功率控制模块
6. 汽车电子中的负载切换
由于其高效性和稳定性,该 MOSFET 成为工程师在设计高性能功率转换电路时的理想选择。
IRFZ44N
AOT290L
FDP5500
STP36NF06