时间：2025/5/10 10:47:41
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AQV252GAX是东芝公司生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-263封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。其设计优化了功率转换效率，适用于多种工业及消费类电子产品中的功率管理电路。
型号：AQV252GAX
类型：N沟道MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.9mΩ
ID（连续漏极电流）：175A
Qg（总栅极电荷）：88nC
VGS(th)（栅源开启电压）：2.1V
Ptot（总功耗）：180W
封装：TO-263
AQV252GAX具备低导通电阻的特点，能够显著降低功率损耗，提升系统效率。同时，该器件的高电流承载能力和快速开关性能使其非常适合需要大功率和高效能的应用场景。
此外，该MOSFET采用了先进的制造工艺，在保证稳定性和可靠性的前提下，还拥有较短的开关时间和较小的寄生电感，这有助于减少开关损耗并改善电磁兼容性表现。
该器件在高温环境下的性能也十分稳定，能够承受较高的结温范围，从而扩展了其应用领域。
AQV252GAX适用于各种功率转换和控制场景，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 负载开关
5. 电池管理系统（BMS）
6. 工业自动化设备
7. 消费类电子产品的功率管理模块
由于其强大的电流处理能力和高效的开关性能，这款MOSFET特别适合用于需要高性能功率管理的场合。
IRFB4110,
AUIRF4110,
IXTH15N50L2
