B5819WSG 时间：2025/12/27 9:07:58 阅读：17

B5819WSG是一款由AOS（Alpha and Omega Semiconductor）生产的双通道肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用SOT-323（SC-70）小型表面贴装封装，适用于对空间要求较高的便携式电子设备。该器件内部集成了两个独立的肖特基二极管，采用共阴极（Common Cathode）配置，常用于电源整流、反向电压保护、信号解调以及直流-直流（DC-DC）转换器等应用中。由于肖特基二极管具有较低的正向导通压降和快速开关特性，B5819WSG在提高系统效率和降低功耗方面表现出色，特别适合高频开关电源和电池供电设备使用。该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。

参数

类型：双通道肖特基二极管
　　封装/包装：SOT-323（SC-70）
　　配置：共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　平均整流电流（Io）：200mA（每通道）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：1.25A（8.3ms单半波）
　　最大正向压降（VF）：450mV @ 150mA, 25°C（典型值）
　　最大反向漏电流（IR）：1μA @ 25°C, 40V（最大值）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：350°C/W（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：< 2ns（典型值）

特性

B5819WSG的核心优势在于其采用肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降和超快的开关速度。传统PN结二极管的正向压降通常在0.6V至1.0V之间，而B5819WSG在150mA电流下的典型正向压降仅为450mV，显著降低了导通损耗，从而提高了电源系统的整体效率。这一特性使其在低电压、高效率的电源设计中尤为关键，例如在3.3V或5V供电的嵌入式系统、移动设备和物联网节点中，能够有效减少发热并延长电池续航时间。
　　此外，该器件具备非常短的反向恢复时间（trr < 2ns），几乎无反向恢复电荷，这使得它在高频开关应用中不会产生明显的开关损耗或电磁干扰（EMI），非常适合用于开关模式电源（SMPS）、同步整流辅助电路和高速信号整流等场景。由于其双通道共阴极结构，B5819WSG可被用于全波整流电路或双路电源路径管理，简化PCB布局并节省空间。
　　B5819WSG采用SOT-323封装，体积小巧，适合高密度贴装，适用于智能手机、平板电脑、无线模块、LED驱动和便携式医疗设备等对尺寸敏感的应用。该器件还具备良好的热稳定性，可在-55°C至+125°C的结温范围内可靠运行，满足工业级和消费级产品的环境要求。同时，其低漏电流特性（最大1μA）确保了在待机或低功耗模式下不会造成明显的静态功耗，有助于实现绿色节能设计。

应用

B5819WSG广泛应用于需要高效、小型化和快速响应的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源整流与反接保护，如智能手机、蓝牙耳机和智能手表等设备的充电管理电路。在DC-DC转换器中，它常被用作续流二极管或输出整流二极管，以提升转换效率并减少热量积累。此外，该器件也适用于隔离电路中的信号解耦、逻辑电平转换以及ESD保护辅助路径。
　　在通信模块中，B5819WSG可用于射频信号检测或包络检波电路，得益于其快速响应能力，能准确还原高频信号的包络信息。在电池供电系统中，它可作为防反接二极管，防止电池误装导致的设备损坏，同时因其低压降特性，避免了传统硅二极管带来的较大功率损耗。
　　工业控制领域中，该器件可用于传感器接口电路、PLC输入模块和低功耗数据采集系统，提供可靠的电压钳位和瞬态保护功能。此外，在LED照明驱动中，B5819WSG可作为续流路径，抑制电感产生的反向电动势，保护驱动芯片。其小型封装也使其成为可穿戴设备和微型传感器节点的理想选择，满足现代电子产品对轻薄化和高性能的双重需求。