时间：2025/5/7 13:23:01
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AQR113C-B0-C是一款由onsemi（安森美）公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于各种高效能功率转换应用中。其封装形式为TO-263-3（D2PAK），能够承受较高的电流负载，并且具备良好的散热性能。
这款MOSFET在汽车电子、工业设备以及消费类电子产品中有广泛的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：85nC（典型值）
输入电容：1980pF（典型值）
总功耗：175W
工作结温范围：-55℃至175℃
AQR113C-B0-C具有非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
它还拥有快速的开关特性，能够在高频操作下保持高效的性能。
此外，该器件经过优化设计，适用于恶劣的工作环境，例如汽车级应用中的高温和振动条件。
AQR113C-B0-C采用了符合RoHS标准的环保材料制造，确保了产品的可持续性和安全性。
此款MOSFET支持多种保护功能，例如过流保护和短路保护，增强了系统的稳定性和可靠性。
该MOSFET可应用于电动汽车中的电机驱动控制电路。
在太阳能逆变器中作为功率开关使用。
用于工业自动化设备中的直流无刷电机控制。
适合作为消费类电子产品的充电器或适配器中的关键功率器件。
还可以用于不间断电源（UPS）和其他需要高效功率转换的场合。
AQR113C-DJ-C,AQR113C-BL-C
