时间：2025/12/24 18:07:38
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APTM10UM02FAG 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能、高频率的电源转换应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和高耐用性，适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统等多种应用场景。APTM10UM02FAG 采用紧凑型封装，有助于减小PCB面积，同时提供优异的热性能和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：最大值为8.5mΩ（在VGS=4.5V时）
功率耗散（PD）：3.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：DFN5x6
APTM10UM02FAG 是一款高性能的N沟道MOSFET，具备多项优异特性，适用于各种高效率电源管理系统。其导通电阻（RDS(on)）非常低，最大值为8.5mΩ，这有助于减少导通损耗，提高系统整体效率。此外，该器件支持高达10A的连续漏极电流，适用于需要较高电流负载能力的应用场景。
该MOSFET采用先进的沟槽式栅极结构，提供了优异的开关性能，能够在高频下稳定运行，从而减少开关损耗并提高系统响应速度。同时，其栅极电压范围为±12V，兼容多种常见的驱动电路设计，便于集成到不同的电源拓扑中。
APTM10UM02FAG 采用DFN5x6封装，具备良好的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。该封装形式不仅体积小巧，有助于节省PCB空间，还具有较低的热阻，可有效将热量传导至PCB，提高系统的可靠性和长期稳定性。
该器件的工作温度范围宽，支持从-55°C到150°C的工业级温度范围，适用于严苛环境下的应用，如汽车电子、工业自动化和便携式设备。其高耐用性和优异的短路耐受能力也使其在复杂工况下依然保持良好的性能。
APTM10UM02FAG 适用于多种高效率电源管理应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源分配系统和电机驱动电路等。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该MOSFET特别适合用于需要高能效和小尺寸设计的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理系统。
在汽车电子领域，APTM10UM02FAG 可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、电池保护电路和车载信息娱乐系统（IVI）等应用。其宽工作温度范围和优异的热性能使其在高温环境下依然保持稳定运行。
此外，该器件也广泛应用于工业自动化系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、工业电源模块和伺服驱动器等。其高频开关特性和紧凑封装设计，使其成为需要高效能和空间优化的工业设备的理想选择。
APTM10UM02FAG 的替代型号包括：STM210N20F、FDMS8878、IPB022N20N3、IRF7413、Si4410BDY、FDS4410A、FDMS86180、STM210N20NF1、STM210N20NF2、IPB018N20N3
