型号：UTT30P04L
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-40V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-30A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：-120A
　　导通电阻(RDS(on))：≤6.5mΩ（@VGS=-10V, ID=-15A）
　　导通电阻(RDS(on))：≤8.5mΩ（@VGS=-4.5V, ID=-15A）
　　阈值电压(VGS(th))：-2.0V ~ -1.0V（@ID=-250μA）
　　栅极电荷(Qg)：约70nC（@VDS=-20V, ID=-15A, VGS=-10V）
　　输入电容(Ciss)：约2300pF（@VDS=-20V, VGS=0V, f=1MHz）
　　反向恢复时间(trr)：典型值70ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252 (D-PAK)

UTT30P04L采用了先进的沟槽栅极工艺技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而在大电流应用中减少导通损耗，提升能效。其在VGS=-10V时的RDS(on)典型值仅为6.5mΩ，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平，特别适用于需要低功耗和高效率的电源系统。这种低RDS(on)特性使得器件在电池供电设备中能够延长续航时间，并在高负载条件下保持较低的工作温升。
　　该器件具备良好的热稳定性和电流承载能力，连续漏极电流高达-30A，且在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其优化的芯片结构有效抑制了热失控风险，提高了长期运行的可靠性。此外，UTT30P04L的栅极电荷Qg较低，约为70nC，这有助于减少驱动电路的功耗，加快开关速度，从而适用于高频DC-DC变换器和同步整流等高速开关场景。
　　UTT30P04L还具备优异的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击，增强了系统的鲁棒性。其坚固的栅氧化层设计可耐受±20V的栅源电压，避免因栅极过压导致的永久性损坏。器件内部寄生二极管的反向恢复时间较短（典型70ns），减少了反向恢复损耗，进一步提升了开关效率。
　　在封装方面，TO-252（D-PAK）形式支持表面贴装工艺，便于自动化生产，同时具备良好的散热路径，可通过PCB铜箔有效导出热量。该封装结构还具有较高的机械强度和热循环耐久性，适合工业级和汽车级应用环境。综合来看，UTT30P04L在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中高功率P沟道MOSFET的理想选择之一。

UTT30P04L广泛应用于各类中高功率电源管理系统中，尤其适合作为同步整流器在降压（Buck）转换器中使用，替代传统的肖特基二极管以提高转换效率。其低导通电阻和高电流能力使其成为服务器、通信设备和工业控制电源模块中的理想选择。在电池供电系统中，如笔记本电脑、移动电源和电动工具中，该器件可用于电池反接保护、充放电控制和负载开关，有效防止反向电流并实现低损耗的能量传输。
　　在电机驱动电路中，UTT30P04L可作为H桥或半桥拓扑中的高端开关，控制直流电机或步进电机的正反转与启停。其快速的开关响应能力和良好的热性能确保了电机驱动系统的稳定运行。此外，该器件也适用于热插拔控制器、电源多路复用器和OR-ing二极管等冗余电源架构中，提供高效的电源路径管理和故障隔离功能。
　　由于其具备良好的EMI性能和抗干扰能力，UTT30P04L还可用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和LED照明驱动电源。其宽工作温度范围（-55℃至+150℃）满足严苛的工业和汽车环境要求。在太阳能逆变器、UPS不间断电源和DC-DC电源模块中，该MOSFET同样表现出色，能够胜任高频率、高效率的能量转换任务。总之，UTT30P04L凭借其高性能指标和稳健的设计，适用于几乎所有需要高效、可靠P沟道功率开关的场合。

Si3466EDV-T1-GE3
　　AO3415A
　　FDD8858
　　IRF4905PBF
　　FQP30N06L