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APTGT200DA60TG 发布时间 时间:2025/12/24 17:46:21 查看 阅读:14

APTGT200DA60TG 是一款由 Microchip Technology 生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,适用于高功率应用。该模块集成了两个 IGBT 和反向并联的二极管,具有高效的功率转换能力和优异的热性能。APTGT200DA60TG 主要用于工业电机驱动、逆变器、电源转换系统等领域。

参数

集电极-发射极电压(Vce):600 V
  集电极电流(Ic):200 A
  工作温度范围:-40°C 至 150°C
  封装类型:双列直插式模块(DIP)
  短路耐受能力:6 μs

特性

APTGT200DA60TG 模块采用先进的 IGBT 技术,具备低导通压降和开关损耗,从而提高系统的整体效率。其内部集成的二极管具有快速恢复特性,有助于减少反向恢复损耗并提高系统可靠性。模块的封装设计优化了散热性能,确保在高功率密度应用中保持稳定的热管理。
  此外,APTGT200DA60TG 具有良好的短路耐受能力,能够在瞬态故障条件下提供额外的安全裕度。模块的封装结构也增强了机械强度,适用于各种恶劣工作环境。该模块还具备良好的绝缘性能,能够有效隔离高压部分与控制电路,提高系统的安全性。

应用

APTGT200DA60TG 广泛应用于工业电机驱动、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、电焊机以及电力电子转换系统。其高功率处理能力和优异的热管理特性使其成为高要求工业应用的理想选择。

替代型号

APTGT200DA60JQ, APTGT200DA60TDG

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APTGT200DA60TG参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型沟道和场截止
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.9V @ 15V,200A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)290A
  • 电流 - 集电极截止(最大)250µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)12.3nF @ 25V
  • 功率 - 最大625W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SP4
  • 供应商设备封装SP4