时间：2025/7/23 6:39:25
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APT8018L2VFRG 是一款由 Microchip Technology 生产的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率晶体管。该器件设计用于高效能的电源转换和管理应用，适用于需要高耐压、低导通电阻和快速开关性能的场景。该晶体管采用先进的功率 MOSFET 技术制造，能够在高频率和高负载条件下稳定运行。APT8018L2VFRG 通常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统以及各种工业和汽车电子设备中。
类型：N 沟道
漏源电压 (Vds)：200 V
漏极电流 (Id)：80 A（Tc）
导通电阻 (Rds(on))：18 mΩ（最大）
栅极电荷 (Qg)：230 nC（典型）
功率耗散 (Pd)：300 W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C
封装类型：TO-247AC
晶体管结构：单个 MOSFET
APT8018L2VFRG 采用先进的功率 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其 200V 的漏源电压能力使其适用于高电压应用，如工业电源和电机控制。该器件的高电流承载能力（80A）确保了其在高负载条件下仍能稳定运行。
此外，APT8018L2VFRG 提供快速的开关性能，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。其较大的栅极电荷（Qg）意味着需要较强的驱动能力，但也确保了稳定的开关控制。
该器件的 TO-247AC 封装形式具有良好的热管理和机械稳定性，适用于需要高可靠性的应用场景。其工作温度范围宽广（-55°C 至 175°C），适用于极端环境条件下的使用。
APT8018L2VFRG 常用于各种高功率和高电压应用中，包括工业电源、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器和电池管理系统。由于其高耐压和低导通电阻的特性，它也非常适合用于太阳能逆变器和电动汽车的充电系统中。
在汽车电子领域，APT8018L2VFRG 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等应用。其高可靠性和热稳定性使其成为汽车和工业环境中理想的选择。
此外，该器件还可用于消费类电子产品中的电源管理模块，如大功率 LED 驱动器和家用电器的电机控制电路。
APT8018LL2VFRG, APT8019L2VFRG
