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APT60S20BG 发布时间 时间:2025/12/24 17:03:54 查看 阅读:17

APT60S20BG 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology 旗下品牌)生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率器件。这款 IGBT 被设计用于高功率应用,例如工业电机驱动、电源转换系统和可再生能源系统中的逆变器与斩波器。APT60S20BG 采用了先进的沟道技术,以提供更高的效率和更低的导通压降。其封装形式为 TO-247,具有良好的热管理和高可靠性。

参数

类型:IGBT
  最大集电极-发射极电压:600V
  最大集电极电流:20A
  导通压降:约 1.55V(在 IC=20A)
  栅极阈值电压:约 4.5V 至 6.5V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247
  短路耐受能力:有
  功耗:110W

特性

APT60S20BG 采用先进的沟道 IGBT 技术,具备低导通压降和低开关损耗的特点,从而提高了整体系统的效率。其高耐压和大电流承载能力使其适用于多种高功率应用场景。该器件还具有良好的短路耐受能力,增强了在恶劣工作条件下的可靠性。
  此外,APT60S20BG 的 TO-247 封装设计提供了优良的散热性能,使其能够在高温环境下稳定运行。该器件的栅极驱动要求较低,简化了驱动电路的设计并降低了驱动损耗。同时,其抗闩锁能力强,提高了在高 di/dt 条件下的稳定性。
  APT60S20BG 还具有优异的热稳定性,能够在长时间高负载运行中保持性能稳定。它广泛用于需要高可靠性和高效率的工业和能源系统中。

应用

APT60S20BG 主要应用于工业电机控制、电源逆变器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、感应加热设备、电焊机、电动工具以及各种高功率开关电源中。其高可靠性和高效率特性也使其成为电动汽车充电设备和储能系统中的理想选择。

替代型号

FGA25N60UDN、GT20Q101、SGW20N60UD

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APT60S20BG参数

  • 产品培训模块Diode Overview
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)75A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 60A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)55ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1mA @ 200V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型通孔,径向
  • 封装/外壳TO-247-2
  • 供应商设备封装TO-247 [B]
  • 包装管件
  • 其它名称APT60S20BGMIAPT60S20BGMI-ND