15N10L-TN3-R 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT),专为高频和高效功率转换应用设计。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压的特点,适用于各种电源管理和射频应用。其封装形式为表面贴装型,便于自动化生产和散热管理。
该型号是第三代半导体技术的典型代表,相较于传统的硅基 MOSFET,它在效率、尺寸和性能方面都有显著提升。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:15A
导通电阻:7mΩ
栅极电荷:45nC
开关频率:最高可达 10MHz
结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-263
15N10L-TN3-R 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够有效降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高速开关能力,支持高达 10MHz 的工作频率,适合高频开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 出色的热性能,可实现更高的功率密度和更小的设计体积。
4. 内置 ESD 保护功能,增强了器件的可靠性。
5. 氮化镓材料赋予了该器件更高的击穿电压和更低的寄生电感,从而改善了整体性能。
6. 表面贴装封装形式,简化了 PCB 布局并提高了生产效率。
15N10L-TN3-R 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 高效 DC-DC 转换器。
3. 射频功率放大器 (RF PA)。
4. 电机驱动和工业控制。
5. 快速充电器和其他消费类电子产品中的功率转换模块。
6. 数据中心和通信设备中的电源管理系统。
7. 新能源汽车中的车载充电器和逆变器组件。
15N100L_TN3_R, GX15T100B