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APT60D120BG 发布时间 时间:2025/12/24 16:54:03 查看 阅读:31

APT60D120BG 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率器件,广泛应用于高功率和高电压的电力电子系统中。该器件具有高电流承载能力和低导通压降的特点,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。

参数

类型:IGBT
  集电极-发射极电压(Vce):1200V
  额定集电极电流(Ic):60A
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-247
  导通压降(Vce_sat):典型值 2.1V
  短路耐受能力:有
  短路电流限制:取决于外部电路设计
  最大功耗(Ptot):200W

特性

APT60D120BG 的核心特性包括高电压和高电流能力,适用于工业和能源领域的高功率应用。其低导通压降特性有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有良好的短路耐受能力,能够在极端工作条件下保持稳定运行。APT60D120BG 采用 TO-247 封装,便于安装和散热管理,适用于多种功率转换设备。
  该 IGBT 还具有快速开关特性,能够有效降低开关损耗,提高整体系统效率。其设计优化了导通和开关性能之间的平衡,适用于高频开关应用。此外,APT60D120BG 具有良好的热稳定性和可靠性,在高温环境下仍能保持稳定运行。这使其成为电机驱动、逆变器、UPS 和可再生能源系统等高要求应用的理想选择。
  在保护特性方面,APT60D120BG 内部集成了短路保护功能,能够承受一定的短路电流而不损坏。这种设计提高了系统的鲁棒性,并减少了对外部保护电路的依赖。

应用

APT60D120BG 主要应用于需要高功率和高可靠性的电子系统中,例如工业电机驱动、电力逆变器、不间断电源(UPS)、可再生能源系统(如太阳能逆变器)以及电动车辆的功率转换模块。该器件的高电压和高电流能力使其成为各种高功率应用的理想选择。

替代型号

APT60D120BG 可以被 APT60D120B2 或 IXGH60N120C3 替代。

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APT60D120BG参数

  • 产品培训模块Diode Overview
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)1200V(1.2kV)
  • 电流 - 平均整流 (Io)60A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)2.5V @ 60A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)400ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电250µA @ 1200V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型通孔,径向
  • 封装/外壳TO-247-2
  • 供应商设备封装TO-247 [B]
  • 包装管件
  • 其它名称APT60D120BGMIAPT60D120BGMI-ND