KRC405V 时间：2025/12/28 16:02:13 阅读：12

KRC405V是一款由Kec Corporation（KEC）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等高功率电子设备中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和良好的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：50A（在TC=25℃时）
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.023Ω（典型值，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　最大功耗（PD）：75W

特性

KRC405V MOSFET具备多项优异特性，首先其低导通电阻可以显著降低导通损耗，提高系统效率。其导通电阻典型值约为0.023Ω，使得在大电流条件下也能保持较低的压降和热量产生。
　　其次，该器件具有高电流承载能力，漏极电流可达50A，适用于高功率应用场景。同时，其良好的热稳定性与高功耗容限（75W）有助于在高温环境下保持稳定运行。
　　此外，KRC405V的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其兼容多种驱动电路设计，并具有良好的抗干扰能力。该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，具有优良的散热性能，便于安装在PCB上，适用于自动化生产。
　　该器件的可靠性高，符合工业级工作温度范围要求（-55℃至+150℃），适用于各种严苛环境条件下的应用。

应用

KRC405V MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器，用于提高电源转换效率；
　　2. DC-DC转换器中的高侧或低侧开关，适用于便携式设备和汽车电子系统；
　　3. 负载开关电路中，用于控制高功率负载的通断；
　　4. 马达驱动和H桥电路中，用于实现高效、低损耗的电机控制；
　　5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关；
　　6. 工业自动化设备和电源管理模块中作为高效率开关元件。