时间：2025/7/25 21:06:01
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APT6029BLLG 是一款由Microchip Technology（微芯科技）生产的功率MOSFET器件，专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用先进的Trench沟道技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），确保在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗。APT6029BLLG属于N沟道增强型MOSFET，适用于各种电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及电池供电设备。该器件采用紧凑的封装形式，适合空间受限的应用场景。APT6029BLLG在高温环境下仍能保持稳定性能，具备较高的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：60V
最大漏极电流(ID)：100A（在25°C）
导通电阻(RDS(on))：典型值为2.9mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷(Qg)：典型值为150nC
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：PowerPAK? 8x8
最大功耗(PD)：200W
APT6029BLLG的核心特性之一是其极低的RDS(on)，这使得在高电流条件下导通损耗显著降低，从而提高整体系统效率。此外，该器件采用先进的Trench沟道技术，优化了电场分布，提高了击穿电压稳定性，同时降低了开关损耗。该MOSFET具备出色的热管理能力，其封装设计支持良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能维持稳定运行。
APT6029BLLG具有高电流承载能力，能够在高功率密度应用中可靠运行，如高性能电源转换器和电机驱动器。该器件的栅极电荷较低，有助于提高开关速度，减少开关过程中的能量损耗。此外，其宽泛的工作温度范围(-55°C至+175°C)使其适用于工业级和汽车级应用环境。
该MOSFET还具备优异的雪崩能量承受能力，提供更强的抗过载和短路保护能力。其封装形式PowerPAK? 8x8具备良好的机械稳定性和焊接可靠性，适合表面贴装工艺，简化了PCB布局并提高了生产效率。
APT6029BLLG广泛应用于各种高功率、高效率的电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动器、电源管理模块以及工业自动化设备。此外，该器件也适用于新能源汽车中的车载充电器(OBC)、逆变器系统以及太阳能逆变器等电源转换设备。
由于其高可靠性和良好的热管理性能，APT6029BLLG也常用于服务器电源、通信设备电源模块、UPS不间断电源以及工业级功率放大器等对稳定性要求较高的应用领域。其紧凑的封装形式也使其成为便携式电子设备中功率开关的理想选择。
SiR142DP-T1-GE3, FDP100N60FM, IPW90R120C3, APT6015LLG
