时间：2025/8/20 22:26:35
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APT58M50JU2是一款由Microsemi（现为L3Harris Technologies的一部分）生产的功率MOSFET器件。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，适用于广泛的电力电子系统，包括DC-DC转换器、电机驱动、电源管理及工业控制等领域。APT58M50JU2采用先进的功率MOSFET技术，具有低导通电阻、高耐压能力和出色的热性能，能够在苛刻的工作条件下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
漏极电流（ID）@25°C：8A
导通电阻（RDS(on)）：0.58Ω @VGS=10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
最大功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
APT58M50JU2具备多项优越特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。在高电压应用中，如DC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路中，这种低损耗特性尤为重要。
其次，APT58M50JU2的漏源电压额定值为500V，能够承受高电压应力，确保在高压环境下的稳定运行。该器件的高电流能力（8A）使其适用于中等功率应用，如电机控制、电源模块和工业自动化设备。
APT58M50JU2广泛应用于多个电力电子领域。在电源管理方面，它可用于高性能开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）模块以及DC-DC转换器，提供高效、稳定的电压转换。在电机控制领域，该器件适用于无刷直流电机（BLDC）驱动器和伺服控制系统，支持精确的速度和扭矩控制。
APT58M50J、APT58M50DV、APT58M50J-R
