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APT50M80B2VFRG 发布时间 时间:2025/7/23 18:51:59 查看 阅读:5

APT50M80B2VFRG是一款由Microchip Technology生产的高电压、高电流双极型晶体管(BJT),专为高功率开关和放大应用设计。该晶体管具有良好的热稳定性和高可靠性,适用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域。

参数

类型:双极型晶体管(BJT)
  极性:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):80V
  最大集电极电流(IC):50A
  最大功耗(PD):200W
  频率响应:1MHz
  封装类型:TO-247
  增益带宽积(fT):1MHz
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

APT50M80B2VFRG具有高电流容量和高耐压能力,能够在高功率环境下稳定工作。
  其TO-247封装设计提供了良好的散热性能,确保长时间运行的可靠性。
  此外,该晶体管具备优异的线性度和低饱和压降,适用于高效率的功率放大和开关电路。
  其高增益特性使其在低输入信号下也能实现高效的输出控制。
  晶体管内部结构优化,降低了寄生电容,提高了高频响应能力,适用于多种工业和电源应用。
  此外,APT50M80B2VFRG还具备较强的抗热阻能力,能够在高温环境下保持稳定的工作性能。

应用

APT50M80B2VFRG广泛应用于电源转换器、电机控制器、工业自动化设备、音频功率放大器以及各种高功率电子系统中。
  它常用于DC-DC转换器、逆变器、开关电源(SMPS)和电池充电器等高功率电路设计中。
  此外,该晶体管还可用于音频放大器的输出级,提供高保真音频信号放大。
  在工业控制领域,APT50M80B2VFRG可用于驱动继电器、电磁阀和其他大功率负载。
  由于其高可靠性和热稳定性,也适用于汽车电子系统中的电源管理和电机驱动应用。

替代型号

TIP142, MJ21194, BDW101, 2SD1047

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APT50M80B2VFRG参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列POWER MOS V®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C58A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 29A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 2.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs423nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds8797pF @ 25V
  • 功率 - 最大625W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3 变式
  • 供应商设备封装T-MAX? [B2]
  • 包装管件