时间：2025/7/22 0:48:03
阅读：10
APT50M60JVR 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高功率、高速开关应用，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和出色的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器以及工业自动化系统等高要求的应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大漏极电流（ID）：50A（在25℃）
导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω（最大）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V 至 4V
最大功耗（PD）：310W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
APT50M60JVR 采用先进的功率 MOSFET 技术，具备优异的导通性能和快速的开关特性，有助于降低系统功耗并提高效率。其低 RDS(on) 特性可减少导通损耗，同时其高耐压能力（600V）使其适用于多种中高功率应用。此外，该器件具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。
该 MOSFET 支持高频开关操作，适用于诸如开关电源（SMPS）、电机驱动器、光伏逆变器和不间断电源（UPS）等应用。其 TO-247 封装形式具备良好的散热性能，便于安装在散热片上以提高热管理能力。APT50M60JVR 还具有较强的抗雪崩能力和过载承受能力，进一步提升了系统的鲁棒性。
在驱动方面，APT50M60JVR 的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 4.5V 至 20V 之间工作，兼容多种常见的 MOSFET 驱动电路。该特性使其适用于各种控制电路和功率模块设计中。
APT50M60JVR 主要应用于高功率密度电源系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、电机控制驱动器、UPS（不间断电源）、光伏逆变器、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）以及各种需要高效率、高频开关性能的功率电子设备。
APT50M60JW、APT50M60B、IRFP460LC、SPW47N60CFD、APT50M60JVRG
