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APT50GP60B 发布时间 时间:2025/12/26 20:06:28 查看 阅读:15

APT50GP60B是一款由Microchip Technology(原IR,国际整流器公司)生产的高电压、大电流的快速恢复二极管模块,专为高功率工业和电力电子应用设计。该器件属于Power MOS-RET系列,结合了先进的平面栅MOSFET技术与优化的快速恢复二极管特性,适用于需要高效、高可靠性开关性能的系统。APT50GP60B采用TO-247封装,具备良好的热性能和机械稳定性,适合在高温、高电压环境下运行。该模块的额定电压为600V,最大平均正向电流可达50A,具有较低的正向导通压降和快速的反向恢复时间,有助于降低开关损耗并提升系统效率。由于其优异的动态特性和坚固的结构设计,APT50GP60B广泛应用于逆变器、电机驱动、不间断电源(UPS)、开关电源(SMPS)以及电焊机等高功率电子设备中。此外,该器件还具备良好的抗浪涌能力,能够承受短时过载电流,提高了系统的安全性和可靠性。在实际使用中,通常需要配合合适的散热器和驱动电路,以确保长期稳定运行。

参数

型号:APT50GP60B
  器件类型:快速恢复二极管模块
  最大重复峰值反向电压(VRRM):600V
  最大平均正向整流电流(IF(AV)):50A
  峰值非重复浪涌电流(IFSM):350A(单半波,60Hz)
  最大正向电压降(VF):1.8V(典型值,@ IF = 50A)
  反向恢复时间(trr):75ns(典型值,@ IR = 50A, dI/dt = 100A/μs)
  最大反向漏电流(IR):1.0mA(@ Tj = 150°C)
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247AC
  引脚数:3
  热阻(RθJC):0.4°C/W(典型值)
  安装方式:面板安装

特性

APT50GP60B的核心特性之一是其卓越的快速恢复性能,反向恢复时间(trr)仅为75ns,这显著降低了在高频开关应用中的反向恢复电荷(Qrr)和相关的开关损耗。该器件在高电流条件下仍能保持稳定的电气性能,即使在50A的正向电流下,其正向压降也控制在1.8V以内,有效减少了导通损耗,提升了整体能效。此外,该模块采用了优化的PN结结构和载流子寿命控制技术,使得反向恢复过程更加平滑,减少了电流拖尾现象,从而抑制了电磁干扰(EMI)的产生,有利于系统通过EMC认证。
  该器件具备出色的热稳定性和长期可靠性,其工作结温最高可达150°C,能够在高温工业环境中稳定运行。TO-247封装提供了良好的热传导路径,配合外部散热器可有效将热量从芯片传递至环境,避免因过热导致性能下降或损坏。器件内部采用高纯度硅材料和先进的金属化工艺,增强了抗热疲劳和机械应力的能力,适用于频繁启停或负载波动较大的应用场景。
  APT50GP60B还具备较强的浪涌电流承受能力,可承受高达350A的非重复浪涌电流,这一特性使其在面对电网波动、电机启动或短路故障等瞬态工况时表现出更高的鲁棒性。同时,其低反向漏电流在高温下仍保持在1mA以下,确保了在高温环境下的阻断能力,防止不必要的功耗和热积累。这些综合特性使得APT50GP60B成为高功率密度和高可靠性电力电子系统中的理想选择。

应用

APT50GP60B广泛应用于多种高功率电力电子系统中。在工业电机驱动领域,常用于三相逆变器的续流二极管或制动单元,提供高效的能量回馈路径,并在电机停机时吸收反电动势能量,保护主开关器件。在不间断电源(UPS)系统中,该器件用于整流桥或输出整流级,实现交流到直流的高效转换,并在电池模式切换时提供快速响应的电流路径,确保输出电压稳定。
  在开关电源(SMPS)尤其是大功率通信电源或服务器电源中,APT50GP60B可用于PFC(功率因数校正)电路或主整流级,其快速恢复特性有助于提高电源效率并减少EMI滤波器的体积。此外,在电焊机、感应加热和电镀电源等设备中,该器件因其高电流承载能力和抗浪涌性能而被广泛采用,能够在恶劣的工作条件下长期稳定运行。
  新能源领域如太阳能逆变器和风力发电变流器中,APT50GP60B也可作为辅助整流元件或保护二极管使用,帮助提升系统效率和可靠性。由于其TO-247封装便于安装和维护,特别适合需要模块化设计和现场更换的应用场景。总体而言,凡是需要高电压、大电流、快速恢复和高可靠性的整流或续流功能的场合,APT50GP60B都是一个极具竞争力的解决方案。

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APT50GR60B
  APT75GP60B
  APT100GP60B

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