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W987Z6CHN75E 发布时间 时间:2025/8/20 10:31:09 查看 阅读:7

W987Z6CHN75E 是由Winbond(华邦电子)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款DRAM芯片采用的是SDRAM(同步动态随机存取存储器)技术,具有高性能和高可靠性的特点,广泛应用于各种需要高速存储器的电子设备中。W987Z6CHN75E 通常用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及消费类电子产品中,以提供快速的数据存储和访问能力。

参数

容量:64MB
  数据宽度:16位
  电压:3.3V
  封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  时钟频率:166MHz
  数据速率:7.5ns存取时间
  封装尺寸:54引脚

特性

W987Z6CHN75E 芯片具有多项显著的特性。首先,其64MB的存储容量和16位的数据宽度能够提供较高的数据传输效率,适合处理大量数据的应用场景。其次,该芯片的工作电压为3.3V,这使得它在功耗和性能之间达到了良好的平衡,适用于对功耗有一定要求的设备。
  此外,W987Z6CHN75E 采用了TSOP封装技术,这种封装形式不仅体积小,而且具有较好的散热性能,有助于提高芯片在高负载条件下的稳定性。该芯片的工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在较为恶劣的环境中正常工作,增强了其适用性。
  该芯片的时钟频率为166MHz,结合7.5ns的存取时间,能够实现快速的数据读写操作,从而提升整体系统的性能。W987Z6CHN75E 的同步动态随机存取存储器技术确保了其在高速数据处理中的可靠性和稳定性。

应用

W987Z6CHN75E 被广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备(如路由器和交换机)、消费类电子产品(如智能电视和游戏机)等。在这些应用中,该芯片能够提供快速且可靠的数据存储解决方案,满足不同场景下的高性能需求。

替代型号

W987D6KH-60C,W9825G6KH-60C,W9861G6KH-60C

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