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APT41M80B2 发布时间 时间:2025/12/24 17:26:30 查看 阅读:11

APT41M80B2 是一款由 Microchip Technology 生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,适用于高功率电子应用。该模块具有高电流承载能力和优异的热性能,适合用于电机驱动、变频器和电源系统等领域。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极电流:40A
  最大集电极-发射极电压:800V
  导通压降:2.1V
  工作温度范围:-40°C 至 150°C
  封装类型:双列直插式封装(DIP)

特性

APT41M80B2 模块具备高效的电流传输能力,能够在高温环境下稳定工作。其设计优化了导通损耗和开关损耗,提高了整体效率。模块的封装设计有助于散热,确保在高功率应用中的可靠性。
  此外,APT41M80B2 还具有良好的短路耐受能力,能够在突发情况下保护电路不受损坏。模块的绝缘性能优异,确保了在高电压应用中的安全性。其低电感设计也有助于减少开关过程中的电压尖峰,提升系统的稳定性。

应用

APT41M80B2 常用于电机控制、变频器、不间断电源(UPS)和工业自动化设备等高功率电子系统中。其高可靠性和高效性能使其成为这些应用的理想选择。

替代型号

APT40M80B2, APT41M60B2

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APT41M80B2参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列POWER MOS 8™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C43A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C210 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 2.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs260nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds8070pF @ 25V
  • 功率 - 最大1040W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3 变式
  • 供应商设备封装T-MAX? [B2]
  • 包装管件