类型：有源混频器
　　频率范围：2 GHz - 20 GHz
　　本振（LO）频率：2 GHz - 20 GHz
　　射频（RF）频率：2 GHz - 20 GHz
　　中频（IF）范围：DC - 2 GHz
　　LO 驱动电平：+17 dBm
　　转换损耗：典型值 8.5 dB
　　输入 P1dB：+8 dBm
　　三阶交调截点（IP3）：+18 dBm
　　隔离度：LO 到 RF >35 dB，LO 到 IF >25 dB，RF 到 IF >20 dB
　　工作电压：+5V DC
　　工作电流：最大 220 mA
　　封装形式：表面贴装（SMD），16 引脚 QFN
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

MOS-2170-419+ 拥有多项优异的电气特性，确保其在高性能射频系统中的稳定运行。首先，该器件为有源混频器，内置 LO 放大器，可有效降低对外部高功率 LO 源的依赖，提升系统集成度和稳定性。其宽频率覆盖范围（2 GHz 至 20 GHz）使其适用于多种高频通信系统，包括微波回传、雷达、测试仪器和卫星通信等应用。
　　该混频器具有较低的转换损耗，典型值为 8.5 dB，有助于提高信号链的整体增益效率。同时，其输入 P1dB 达到 +8 dBm，三阶交调截点（IP3）高达 +18 dBm，表现出良好的线性性能，适用于高动态范围的应用场景。此外，MOS-2170-419+ 提供了良好的端口隔离度，LO 到 RF 的隔离度超过 35 dB，减少了本振泄漏对射频信号的影响，提高了系统的抗干扰能力。
　　在供电方面，该器件采用单一 +5V 电源供电，最大工作电流为 220 mA，功耗较低，适用于便携式和嵌入式设备。封装采用 16 引脚 QFN 表面贴装形式，便于自动化生产并节省 PCB 空间。其宽温工作范围（-40°C 至 +85°C）确保其在各种环境条件下都能稳定运行。

MOS-2170-419+ 广泛应用于现代射频和微波通信系统中。其主要用途包括但不限于：高频信号的上变频和下变频、无线基站和中继器的频率转换模块、频谱分析仪和信号发生器等测试测量设备、雷达和电子战系统中的信号处理单元、以及卫星通信和微波回传设备中的关键混频环节。
　　由于其高线性度和宽频率范围，该混频器特别适合用于需要高动态范围和高稳定性的系统中。例如，在 5G 毫米波通信系统中，MOS-2170-419+ 可用于实现高频信号的调制和解调功能；在频谱分析仪中，可用于将输入信号转换至中频进行处理；在雷达接收机中，可作为下变频器将回波信号降至中频进行数字化处理。
　　此外，该器件也适用于科研和教育领域的射频实验系统，为工程师和学生提供可靠的混频性能测试平台。

HMC414LC4B, AD8343ACPZ, LTC5563IUFD