时间：2025/12/26 20:56:01
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APT31N80JC3是一款由Microchip Technology生产的高性能高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率开关电源和功率转换应用设计。该器件采用先进的平面硅技术制造，具有优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性，能够在高电压环境下提供出色的性能和可靠性。APT31N80JC3的额定电压为800V，最大连续漏极电流可达31A（在25°C下），适用于需要高耐压和高电流能力的工业级电源系统。其封装形式通常为TO-247，具备良好的热传导性能，有助于在高功率密度设计中实现有效的散热管理。这款MOSFET广泛应用于AC-DC转换器、DC-DC变换器、逆变器、电机驱动以及各类高电压电源拓扑结构中，如反激式、正激式和LLC谐振转换器等。由于其优化的动态参数，APT31N80JC3能够显著降低开关损耗，提高整体系统效率，并支持高频操作，从而减小磁性元件和滤波元件的体积，提升系统的功率密度。此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层设计，增强了在恶劣工作环境下的鲁棒性。
型号：APT31N80JC3
制造商：Microchip Technology
器件类型：N沟道MOSFET
漏源击穿电压（BVDSS）：800V
最大漏极电流（ID @ 25°C）：31A
最大漏极脉冲电流（IDM）：124A
最大栅源电压（VGSS）：±30V
导通电阻（RDS(on) @ VGS=10V）：0.165Ω
导通电阻（RDS(on) @ VGS=15V）：0.135Ω
栅极电荷（Qg）：170nC
输入电容（Ciss）：3400pF
输出电容（Coss）：90pF
反向恢复时间（trr）：45ns
体二极管反向恢复电荷（Qrr）：210nC
最大功耗（PD）：300W
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
APT31N80JC3采用Microchip先进的高压MOSFET工艺，具备优异的电气性能和热稳定性。其低导通电阻RDS(on)有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统能效，特别适用于高负载条件下的持续运行。该器件的栅极电荷Qg较低，意味着在高频开关应用中可以减少驱动电路的能量消耗，同时加快开关速度，从而降低开关损耗。其输入电容Ciss和输出电容Coss经过优化，有助于减少寄生振荡和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。此外，该MOSFET具备快速的体二极管反向恢复特性，trr仅为45ns，Qrr为210nC，这在硬开关拓扑中尤为重要，可显著减少因二极管反向恢复引起的尖峰电压和能量损耗。
该器件的800V高击穿电压使其适用于全球通用输入电压范围的电源设计，包括工业、通信和消费类高端电源设备。其坚固的结构设计和宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了在极端环境条件下的可靠运行。TO-247封装提供了优良的热传导路径，便于安装散热器以实现高效散热，适用于高功率密度设计。APT31N80JC3还具备优秀的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中吸收能量而不损坏，提升了系统的安全性和耐用性。其栅极氧化层经过严格测试，可承受±30V的栅源电压，增强了对误操作或噪声干扰的容忍度。这些综合特性使APT31N80JC3成为高效率、高可靠性功率转换系统的理想选择。
APT31N80JC3广泛应用于多种高电压、高效率的电力电子系统中。典型应用场景包括工业级开关电源（SMPS）、大功率AC-DC和DC-DC转换器，尤其是在服务器电源、电信整流器和工业自动化设备中表现出色。由于其高耐压和高电流能力，它常用于离线式反激、正激和半桥/全桥拓扑结构中，作为主开关器件承担能量传输任务。在光伏逆变器和UPS不间断电源系统中，APT31N80JC3可用于直流母线侧的功率开关，实现高效的电能转换和稳定的输出性能。此外，在电机驱动系统中，特别是在中小功率变频器和伺服驱动器中，该器件可用于斩波或逆变阶段，提供快速响应和低损耗的开关功能。其高频特性也使其适用于谐振转换器（如LLC拓扑），在这种软开关架构中，MOSFET的开关损耗被进一步抑制，从而实现更高的转换效率和更低的温升。在LED驱动电源领域，尤其是大功率户外照明和商业照明系统中，APT31N80JC3能够满足高输入电压和长寿命的要求。此外，该器件还可用于电池充电器、焊机电源、感应加热设备等需要高可靠性和高效率的工业电源模块中。凭借其优异的热性能和电气特性，APT31N80JC3在各种严苛工作条件下均能保持稳定运行，是现代电力电子设计中的关键组件之一。
APT32N80LC3
STP32NM80FD
IRFP840G
FQP8N80C
