时间：2025/12/24 18:19:37
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APT30M36B2FLLG 是一款由Microsemi（现为Microchip子公司）设计和制造的碳化硅（SiC）MOSFET功率模块。该模块采用了先进的SiC技术，具有低导通损耗和开关损耗，适用于高效率、高频和高温工作环境。APT30M36B2FLLG采用了双通道（Dual）拓扑结构，每个通道的额定电流为30A，电压等级为1200V，非常适合用于工业电机驱动、电动汽车（EV）充电系统、可再生能源转换系统（如太阳能逆变器）以及不间断电源（UPS）等高要求的应用场景。
类型：双通道SiC MOSFET模块
最大工作电压（VCES）：1200V
额定集电极电流（IC）：30A（每个通道）
导通电阻（RDS(on)）：36mΩ（典型值）
短路额定值：10μs @ 150°C
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：功率模块（Power Module）
封装尺寸：符合行业标准尺寸，便于散热和安装
绝缘耐压等级：符合IEC 60068-1标准
栅极驱动电压范围：-5V 至 +20V
APT30M36B2FLLG具有多项先进的性能特点，使其在高性能功率转换系统中表现出色。
首先，该模块采用了SiC MOSFET技术，具有优异的导通和开关性能，显著降低了功率损耗，提高了系统的整体效率。SiC材料的宽带隙特性使其能够在更高的温度下稳定工作，并具备更高的热稳定性。
其次，APT30M36B2FLLG采用了双通道配置，适用于半桥或双有源桥（DAB）拓扑结构，支持高频开关操作，从而减少了磁性元件的尺寸和重量，提高了系统的功率密度。
此外，该模块具有优异的短路耐受能力，可在150°C工作温度下承受10μs的短路电流，增强了系统的可靠性和安全性。
APT30M36B2FLLG的工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适应了各种恶劣的工业和汽车环境。其栅极驱动电压范围为-5V至+20V，支持标准的MOSFET驱动电路，兼容性强。
最后，模块采用了高绝缘等级的封装结构，确保在高压应用中具备良好的电气隔离性能，满足IEC和UL等安全标准要求。
APT30M36B2FLLG广泛应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括工业电机驱动器、伺服驱动系统、电动汽车车载充电器（OBC）、直流快充站（DC Fast Charging）、太阳能逆变器、储能系统（ESS）、不间断电源（UPS）以及铁路牵引变流器等。
在电动汽车领域，APT30M36B2FLLG可用于车载充电器和主驱逆变器，其高频工作能力有助于减小磁性元件体积，提高整车能效；在可再生能源系统中，该模块可作为光伏逆变器或储能逆变器的核心功率器件，实现高效的能量转换；在工业自动化领域，APT30M36B2FLLG适用于高精度伺服驱动和变频器，提供稳定的功率输出和快速的动态响应。
由于其高耐温能力和短路保护特性，APT30M36B2FLLG也适用于需要高可靠性的航空航天和轨道交通系统。
CMF300C12A2Y,E3SMDI,CREE/Wolfspeed C3M0060065J, Infineon IMZ120R5HM1
