时间：2025/12/5 17:33:51
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MLZ2012A1R5WT000是一款由TDK公司生产的多层片状铁氧体磁珠，属于MLZ系列。该器件主要用于抑制高频噪声，广泛应用于各类电子设备的电源线路和信号线路中，以提高系统的电磁兼容性（EMC）。MLZ2012A1R5WT000采用小型化表面贴装封装，尺寸为2012（公制代码2012，即2.0mm x 1.25mm），适用于对空间要求较高的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及物联网终端等。
该磁珠的核心功能是在高频下呈现高阻抗特性，从而有效吸收或衰减高频干扰信号，同时在直流或低频工作电流下保持较低的直流电阻（DCR），以减少对正常信号传输的影响。其额定阻抗在100MHz时为1.5Ω，属于低阻抗型磁珠，适用于需要轻微滤波且对压降低敏感的应用场景。器件采用镍锌（NiZn）铁氧体材料制成，具备良好的高频特性和温度稳定性，能够在较宽的频率范围内提供稳定的噪声抑制性能。此外，MLZ2012A1R5WT000具有良好的焊接可靠性和机械强度，符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q200等可靠性认证，适用于工业级和汽车级应用环境。
产品系列：MLZ
封装尺寸：2012 (2.0 x 1.25 mm)
阻抗@100MHz：1.5 Ω
直流电阻(DCR)：典型值0.3 Ω
额定电流：500 mA
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
材料类型：NiZn铁氧体
包装形式：卷带（Tape and Reel）
引脚数：2
最小起订量：3000只
MLZ2012A1R5WT000作为TDK MLZ系列中的低阻抗磁珠，具备出色的高频噪声抑制能力与低插入损耗的平衡特性。其核心优势在于采用先进的多层陶瓷工艺制造，将铁氧体材料与内部电极交替堆叠烧结而成，实现了微型化与高性能的结合。这种结构不仅提升了器件的自谐振频率（SRF），还确保了在宽频范围内（从几十MHz到GHz级别）具有稳定的阻抗响应，避免因感抗与寄生电容共振导致的性能下降问题。该磁珠在100MHz时阻抗为1.5Ω，虽然绝对值较低，但特别适用于对电源轨进行轻度滤波的场合，例如为RF模块、传感器或低功耗MCU供电的线路中，既能抑制开关噪声传播，又不会显著增加电压降或影响瞬态响应。
该器件的直流电阻仅为0.3Ω左右，这意味着在通过500mA额定电流时，产生的I2R损耗非常小，有助于提升系统能效并减少发热。同时，其电流饱和特性良好，在接近最大额定电流时仍能维持大部分阻抗性能，不会像某些电感元件那样迅速退磁失效。此外，MLZ2012A1R5WT000具有优异的温度稳定性和长期可靠性，在高温高湿环境下表现出色，适合用于车载电子、工业控制等严苛应用场景。其符合AEC-Q200标准的设计也表明其具备足够的耐热循环、耐潮湿和抗机械应力能力。器件还具备良好的ESD耐受性和抗浪涌能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作。整体而言，该磁珠是实现EMI对策小型化、集成化的理想选择之一。
MLZ2012A1R5WT000主要应用于各类需要高频噪声抑制的电子电路中，尤其适用于便携式消费类电子产品中的电源去耦和信号线滤波。常见使用场景包括智能手机和平板电脑中的摄像头模组、显示屏背光驱动、Wi-Fi/蓝牙射频前端电源滤波等，这些部位对空间极为敏感，同时存在高频开关噪声干扰的风险。该磁珠也可用于可穿戴设备如智能手表和健康监测设备中，为低功耗蓝牙芯片、心率传感器或加速度计提供干净的供电路径，防止噪声串扰影响测量精度。
在工业自动化领域，该器件可用于PLC模块、传感器接口电路或通信接口（如I2C、SPI总线）的EMI滤波，提升系统抗干扰能力。在汽车电子方面，由于其通过AEC-Q200认证，因此可应用于车身控制模块（BCM）、信息娱乐系统、ADAS传感器供电线路等非动力系统中，帮助满足严格的车载EMC测试标准（如CISPR 25）。此外，在物联网网关、无线模块、智能家居控制器等设备中，MLZ2012A1R5WT000可用于隔离不同功能单元之间的噪声耦合，确保无线通信的稳定性。总之，任何需要在有限空间内实现高效、低损耗噪声抑制的场合，都是该磁珠的理想应用领域。
BLM21PG150SN1D
ACM2012Z1R5W-T000
DLW21HN1R5XK2L
