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APT30GP60BDQ1G 发布时间 时间:2025/7/25 22:01:01 查看 阅读:3

APT30GP60BDQ1G 是一款由 Microchip Technology(微芯科技)生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率晶体管,适用于高功率应用。该器件采用 TO-247 封装,具有良好的热性能和高可靠性,常用于工业电机驱动、电源系统和变频器等领域。

参数

类型:IGBT
  集电极-发射极电压:600V
  集电极电流:30A
  栅极-发射极电压:±20V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247
  功率耗散:160W
  短路耐受能力:5μs
  导通压降:2.1V
  短路电流:60A

特性

APT30GP60BDQ1G 具备多项优异特性,包括高电流容量和耐压能力,使其适用于高功率密度设计。该器件的 TO-247 封装提供了良好的热管理性能,有助于提高系统稳定性。
  其导通压降较低(2.1V),可有效降低导通损耗,提高整体效率。此外,该 IGBT 具有良好的短路耐受能力(可承受高达 5μs 的短路电流),增强了在突发故障情况下的可靠性。
  APT30GP60BDQ1G 的栅极驱动电压范围为 ±20V,兼容常见的栅极驱动电路,简化了设计流程。其工作温度范围广泛(-55°C 至 +150°C),适合在极端环境下运行。
  该器件还具备良好的抗热疲劳能力,延长了使用寿命。适用于需要高可靠性和高效率的电力电子系统,如电机控制、UPS(不间断电源)和工业变频器等。

应用

APT30GP60BDQ1G 广泛应用于工业自动化系统、电机驱动器、变频器、不间断电源(UPS)、逆变器、电焊设备和高功率电源转换系统。其高可靠性和良好的热管理性能使其成为苛刻环境下的理想选择。

替代型号

APT30GP60BDQ1G 的替代型号包括 APT30GP60B、APT30GD60BQ1G 和 IRGP30B60PD1S。

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APT30GP60BDQ1G参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列POWER MOS 7®
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,30A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100A
  • 功率 - 最大463W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247 [B]
  • 包装管件
  • 其它名称APT30GP60BDQ1GMPAPT30GP60BDQ1GMP-ND