时间：2025/12/24 18:17:19
阅读：10
APT30D60BG是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Advanced Power Technology公司制造。该器件设计用于高功率开关应用，具有较低的导通电阻和高效的开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及其他需要高效功率开关的场合。APT30D60BG采用TO-263表面贴装封装，提供良好的热管理和电气性能。
类型：功率MOSFET
封装：TO-263（表面贴装）
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.14Ω（最大值0.18Ω）
栅极电荷（Qg）：典型值为70nC
工作温度范围：-55°C至+150°C
最大功耗（Pd）：160W
APT30D60BG功率MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术和场效应结构，以提供较低的导通电阻和优异的开关性能。该器件具有高击穿电压能力，能够在600V的漏源电压下稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流工作条件下损耗最小化，提高系统效率。此外，APT30D60BG的栅极电荷较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。
该器件的TO-263封装提供了良好的散热性能，适合表面贴装工艺，提高了组装效率和可靠性。APT30D60BG的内部结构优化了电场分布，增强了器件的耐用性和稳定性，能够在高温和高湿度环境下正常工作。此外，该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，提升了整体系统的鲁棒性。
APT30D60BG广泛应用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、照明系统、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等。其高效的开关性能和良好的热管理能力使其成为高功率密度设计的理想选择。在这些应用中，APT30D60BG能够有效降低导通损耗和开关损耗，提高整体系统效率并减少散热需求。
IXFN30N60P、IRFP460、APT30D60B、APT30D60SLBG、APT30D60B2
