时间：2025/7/26 5:49:53
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APT28M120L 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件专为高效率、高频率的功率转换应用而设计，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及工业自动化系统等领域。APT28M120L 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：1200 V
连续漏极电流（Id）：28 A（Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.165 Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：120 nC
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
APT28M120L 的设计重点在于提供高效能和高可靠性。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中最小的功率损耗，同时降低了器件的温升，提高了系统效率。
此外，APT28M120L 具有高耐压能力，能够承受高达 1200 V 的漏源电压，使其适用于高电压应用，如工业电源和高压电机控制。
该器件的栅极电荷较低，使得开关损耗减少，从而在高频开关应用中表现出色。其 TO-247 封装提供了良好的热管理和机械稳定性，便于安装和散热。
APT28M120L 还具备出色的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行，延长系统的使用寿命。
APT28M120L 常用于需要高电压和高效率的功率电子系统中，如工业电源、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器和逆变器等应用。其高耐压能力和低导通电阻使其成为高压电源管理和功率控制的理想选择。
IXFH28N120Q2, IRGP50B120KD-S
