LDTC144GWT1G 时间：2025/8/13 6:02:08 阅读：30

LDTC144GWT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管（BJT）阵列器件。该器件内部集成了两个独立的 NPN 晶体管，通常用于数字电路、开关电路和放大电路中。每个晶体管具有独立的基极、集电极和发射极引脚，适合需要高增益和快速开关性能的应用场景。该器件采用 SOT-23（SC-59）小型封装，适用于表面贴装工艺。

参数

类型：NPN 双晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功率耗散（PD）：200mW
　　电流增益（hFE）：110 至 800（取决于工作电流）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

LDTC144GWT1G 具备多个显著的性能特点，使其在多种电子设计中得到广泛应用。首先，该器件内部包含两个独立的 NPN 晶体管，可以用于实现双路信号放大或开关控制，节省电路板空间并提高设计灵活性。其次，每个晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从 110 到 800 不等，这使得它在不同工作电流条件下都能保持良好的放大性能。此外，其过渡频率（fT）高达 100MHz，意味着该晶体管适用于中高频的模拟和数字电路应用。
　　LDTC144GWT1G 的封装形式为 SOT-23（SC-59），是一种小型表面贴装封装，便于在高密度 PCB 设计中使用。该器件的最大集电极-发射极电压为 30V，最大集电极电流为 100mA，适用于中低功率的开关和放大应用。此外，其最大功率耗散为 200mW，能够在一定的负载条件下稳定工作。
　　该晶体管的工作温度范围宽，从 -55°C 到 +150°C，使其能够在各种工业环境和恶劣条件下可靠运行。这种特性使其特别适合用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品中。

应用

LDTC144GWT1G 常用于各种电子电路中，特别是在需要双晶体管配置的场合。常见的应用包括数字开关电路、LED 驱动电路、继电器控制、逻辑电平转换、音频放大器和缓冲器设计等。由于其高频性能，该器件也可用于射频（RF）前端电路中的信号放大或混频器部分。此外，在嵌入式系统和微控制器外围电路中，该晶体管常用于驱动继电器、风扇、小型电机或其他负载器件。