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APT27GA90K 发布时间 时间:2025/9/14 11:48:54 查看 阅读:18

APT27GA90K 是一款由 Microchip Technology 生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率模块,主要用于高功率应用,如工业电机驱动、电力逆变器、电能转换系统等。该模块集成了一个 IGBT 芯片和一个反向并联的快速恢复二极管,提供高效能和高可靠性的解决方案。

参数

类型:IGBT 模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):900 V
  额定集电极电流(IC):27 A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247
  导通压降(VCE_sat):典型值 1.6 V(在 IC=27 A)
  输入电容(Cies):约 2800 pF
  开关损耗(Eon/Eoff):典型值 3.5 μJ / 2.1 μJ(在 IC=27 A)

特性

APT27GA90K 采用先进的 IGBT 技术,具有低导通压降和低开关损耗的特点,这使得它在高频开关应用中表现尤为出色。
  其 TO-247 封装形式具备良好的热管理和电气绝缘性能,有助于提高模块的稳定性和寿命。
  内置的快速恢复二极管可有效减少反向恢复损耗,提高系统的整体效率。
  此外,APT27GA90K 还具有良好的短路耐受能力,能够在恶劣工作条件下提供更高的可靠性。
  由于其优化的设计,APT27GA90K 可广泛应用于各种高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。

应用

APT27GA90K 常用于各种电力电子设备中,包括但不限于:
  ? 工业电机驱动与变频器
  ? 电能转换系统(如 UPS 和逆变器)
  ? 电力调节与配电系统
  ? 新能源发电系统(如太阳能逆变器)
  ? 电动汽车充电设备
  ? 工业自动化与控制系统

替代型号

[
   "APT25GN60KD",
   "APT27GF120KD",
   "APT27GH60BSD"
  ]

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APT27GA90K参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列POWER MOS 8™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)900V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.1V @ 15V,14A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)48A
  • 功率 - 最大223W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220 [K]
  • 包装管件