时间：2025/7/25 19:57:34
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APT25M100J 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology 旗下品牌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高功率和高频率的应用，具有较低的导通电阻和较高的热稳定性，适用于电源转换、电机控制和开关电源等场景。
类型：MOSFET
沟道类型：N 沟道
最大漏极电流（ID）：25A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约 0.045Ω
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
APT25M100J 具有多个显著的性能特点。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的硅技术，能够在高温环境下稳定工作，提高设备的可靠性和寿命。
其次，APT25M100J 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，适合高功率应用。该封装还具有较高的机械强度和热稳定性，能够承受较高的热应力。
此外，该 MOSFET 的高栅极电压容限（±20V）使其在复杂的驱动电路中更具灵活性，减少因过压造成的损坏风险。APT25M100J 还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动器和 UPS 系统。
APT25M100J 被广泛应用于多种高功率电子系统中。常见的用途包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制电路、逆变器、UPS（不间断电源）系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其出色的热性能和高可靠性，该器件也适用于需要长时间连续运行的高负载应用，如电动汽车充电系统和太阳能逆变器。
APT25M100N, IRF1405, FDP2532
