时间：2025/5/15 16:50:55
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APT20M11JVR 是一款基于安森美（ON Semiconductor）技术平台的高效率、高性能 MOSFET 功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和优异的开关特性，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等领域。
其封装形式为 TO-252（DPAK），具备出色的散热性能和坚固耐用的设计，非常适合要求高效能与可靠性的工业及消费类电子应用。
型号：APT20M11JVR
类型：N沟道 MOSFET
Vds（漏源电压）：100V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：45mΩ
Id（连续漏极电流）：20A
Qg（总栅极电荷）：30nC
EAS（雪崩能量）：76mJ
封装：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
APT20M11JVR 的主要特点是其低导通电阻和高效的开关性能。其 45mΩ 的典型导通电阻显著降低了传导损耗，从而提升了系统效率。同时，该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，并支持高频操作。
此外，APT20M11JVR 具有强大的雪崩能力（76mJ），在过载或短路条件下能够提供额外的保护。其紧凑且优化的 DPAK 封装也使得它能够在有限的空间内实现良好的散热性能。
该器件还具备以下优势：
- 极低的 Rds(on)，降低功率损耗
- 高速开关性能
- 强大的雪崩和 ruggedness 特性
- 工作温度范围广，适用于恶劣环境
- 符合 RoHS 标准，环保设计
APT20M11JVR 广泛应用于需要高效率和高可靠性功率开关的场景中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电机控制与驱动
- 电池管理系统（BMS）
- 便携式设备中的负载开关
- 汽车电子系统中的继电器替代
- 工业自动化中的功率调节模块
由于其出色的电气特性和散热能力，APT20M11JVR 在各类工业级和消费级应用中表现出色。
APT20M12SMDT,
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