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APT150GN60J 发布时间 时间:2025/12/24 18:17:21 查看 阅读:9

APT150GN60J 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的高功率、高频绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,专为需要高可靠性和高效能的工业和电力电子应用而设计。该模块集成了多个 IGBT 芯片和反并联二极管,具有较高的电流承载能力和较低的导通与开关损耗,适用于变频器、逆变器、电机驱动和不间断电源(UPS)等应用。

参数

型号: APT150GN60J
  类型: IGBT 模块
  最大集电极-发射极电压(Vce): 600V
  额定集电极电流(Ic): 150A
  最大工作温度(Tj): 150°C
  导通压降(Vce_sat): 2.1V(典型值)
  短路耐受能力: 10μs @ 600V
  封装类型: 功率模块
  封装尺寸: 130mm x 75mm x 15mm(典型)
  绝缘等级: Class H
  安装方式: 螺丝固定
  工作温度范围: -40°C 至 +125°C

特性

APT150GN60J 是一款性能优异的 IGBT 模块,具备多项先进特性。首先,其高电压和大电流能力(600V/150A)使其适用于中高功率的电力电子系统,如工业变频器、电焊机和电力调节装置。其次,该模块采用了先进的沟槽栅场阻断(Trench Field Stop)技术,显著降低了导通压降和开关损耗,从而提高了系统的整体效率。
  此外,APT150GN60J 具备良好的短路耐受能力,能够在极端条件下(如负载突变或短路故障)提供一定程度的保护,提升系统的稳定性。其封装设计采用了高绝缘性能的材料,符合 Class H 绝缘等级,能够在高温环境下稳定运行。
  该模块还集成了反并联快速恢复二极管,能够有效处理感应负载产生的反向电流,减少能量损耗并提升系统响应速度。同时,其紧凑的封装结构和标准化的安装孔位,使得模块易于集成到现有系统中,并具备良好的散热性能,适用于风冷或水冷散热方案。
  最后,APT150GN60J 在制造过程中采用了高可靠性的焊接工艺和材料,确保其在恶劣工作环境下的长期稳定性和耐用性,非常适合用于工业自动化、轨道交通和可再生能源等对可靠性要求极高的应用场合。

应用

APT150GN60J 广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。其典型应用包括工业变频器、伺服驱动器、电焊机、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、风力发电变流器以及轨道交通中的牵引变流装置。此外,该模块也适用于各种感应加热设备和电机控制装置,能够在高频率和高负载条件下提供稳定的性能。由于其良好的散热设计和高绝缘等级,APT150GN60J 也常用于需要长时间连续运行的工业自动化设备和电力调节系统。

替代型号

APT150GN60B, APT150GN60JRD, APT150GN60HRD

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APT150GN60J参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型沟道和场截止
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.85V @ 15V,150A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)220A
  • 电流 - 集电极截止(最大)25µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)9.2nF @ 25V
  • 功率 - 最大536W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳ISOTOP
  • 供应商设备封装ISOTOP?
  • 其它名称APT150GN60JMIAPT150GN60JMI-ND