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APT10M09B2VFRG 发布时间 时间:2025/12/26 20:58:52 查看 阅读:9

APT10M09B2VFRG是一款由Microchip Technology(原为Advanced Power Technology)生产的高压、大电流IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于高功率开关和电力电子转换系统中。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗与双极型晶体管的低导通压降优势,具备优异的开关性能和热稳定性。APT10M09B2VFRG采用先进的平面栅场截止技术(Planar Field-Stop),优化了电场分布,提高了器件的耐压能力和可靠性。该模块设计用于600V至1200V工作电压范围,能够承受瞬态过压和高能量浪涌,适用于工业电机驱动、不间断电源(UPS)、逆变器、感应加热以及可再生能源发电系统等高要求应用场景。
  该器件封装在高性能的TO-247AC或类似功率封装中,具备良好的热传导性能和电气隔离能力,便于安装于散热器上实现高效散热。其引脚布局经过优化,减少了寄生电感,有助于降低开关过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI)。此外,APT10M09B2VFRG内置反并联快速恢复二极管,可在感性负载关断时提供续流路径,提升系统整体效率与安全性。该IGBT模块还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受时间,增强了在异常工况下的鲁棒性。

参数

类型:IGBT
  集电极-发射极电压(Vces):1200V
  集电极电流(Ic)@25°C:10A
  集电极电流(Ic)@100°C:5A
  栅极-发射极电压(Vge):±20V
  功耗(Pd):150W
  饱和压降(Vce(sat))@Ic=10A, Vge=15V:1.8V
  开关时间-开通(ton):约50ns
  开关时间-关断(toff):约120ns
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  热阻结到壳(Rth(j-c)):1.0°C/W
  输入电容(Cies):约1200pF
  反向恢复时间(trr):约75ns
  封装类型:TO-247AD

特性

APT10M09B2VFRG具备卓越的开关特性和热稳定性,是高效率电力转换系统的理想选择。其核心特性之一是采用了场截止型IGBT结构,这种设计显著降低了器件的导通损耗和开关损耗,从而提升了整体能效。在导通状态下,其饱和压降Vce(sat)仅为1.8V左右,在10A工作电流下表现出色,有效减少功率损耗并降低温升。同时,该器件具有快速的开关响应能力,开通时间ton约为50ns,关断时间toff约为120ns,使其适用于高达数十kHz的高频开关应用,如PWM逆变器和DC-DC变换器。
  该IGBT模块具备出色的短路耐受能力,典型短路耐受时间为5μs以上,能够在发生负载突变或电路故障时有效保护自身及外围电路。这一特性对于工业驱动和电机控制尤为重要,可显著提高系统运行的安全性和可靠性。此外,其栅极阈值电压(Vge(th))通常在5.5V至7.0V之间,兼容标准逻辑电平驱动信号,配合适当的栅极驱动电路即可实现稳定控制。
  器件的反并联二极管具有快速恢复特性,反向恢复时间trr约为75ns,并且软恢复行为良好,减少了反向恢复电流尖峰引起的电磁干扰和损耗。这对于减少系统噪声、提升EMI性能至关重要。同时,该模块具有良好的温度稳定性,其电气参数随温度变化较小,确保在宽温范围内仍能保持一致的性能表现。
  APT10M09B2VFRG还具备高绝缘电压能力和优异的抗湿热性能,适合在恶劣工业环境中长期运行。其TO-247AD封装不仅提供了良好的机械强度,还支持单螺栓安装,便于维护和更换。总体而言,该器件在功率密度、效率、可靠性和易用性之间实现了良好平衡,是中等功率IGBT应用中的优选方案。

应用

APT10M09B2VFRG广泛应用于多种高功率电子系统中,尤其适用于需要高效、可靠开关性能的工业与能源领域。常见应用包括交流电机驱动器,用于控制工业泵、风机、压缩机等设备的速度与转矩,其快速开关能力和低导通损耗有助于提升驱动器的整体效率。在不间断电源(UPS)系统中,该IGBT用于逆变级,将直流电转换为纯净的正弦波交流电,保障关键设备在断电期间持续运行。
  此外,该器件也常用于太阳能光伏逆变器中,作为DC-AC转换的核心开关元件,支持最大功率点跟踪(MPPT)算法的高效执行。在感应加热设备中,如电磁炉、金属熔炼装置,APT10M09B2VFRG可用于构建谐振逆变电路,实现高频交变磁场的生成,从而高效加热金属材料。
  在电动汽车充电基础设施中,该IGBT可用于车载充电机(OBC)或直流快充模块的功率级设计。其高耐压和强电流处理能力使其能够应对电网波动和负载突变。同时,它也被用于电焊机、高频电源、开关模式电源(SMPS)等设备中,承担主开关功能。由于其具备良好的热管理和EMI控制特性,适合在紧凑型、高集成度的电源系统中使用。

替代型号

APT12M09B2VFRG
  APT10M09B2VG
  IXGH10N120BD1
  FGA10N120ANTD
  STGY10NB120KD}

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APT10M09B2VFRG参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列POWER MOS V®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 2.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs350nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9875pF @ 25V
  • 功率 - 最大625W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3 变式
  • 供应商设备封装T-MAX? [B2]
  • 包装管件