APT100GT120JR是一款由Microsemi(现为Microchip Technology)生产的IGBT(绝缘栅双极晶体管)功率模块,专为高功率应用设计。这款IGBT模块具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性,适用于工业电机驱动、逆变器、电源系统以及可再生能源系统等领域。
型号:APT100GT120JR
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):100A
最大工作温度:150°C
封装类型:模块封装
短路耐受能力:6μs
导通压降(VCE_sat):约2.1V(典型值)
栅极驱动电压范围:±20V
APT100GT120JR具备多项先进特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其1200V的击穿电压和100A的额定集电极电流使其能够承受较高的电压和电流应力,适用于中高功率逆变器和电机驱动系统。其次,该模块采用先进的芯片技术,提供较低的导通压降(VCE_sat),从而降低导通损耗,提高系统效率。
此外,APT100GT120JR具备良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的短路电流,增强了系统的可靠性。模块内部结构优化,热阻较低,有助于快速散热,确保在高负载条件下稳定运行。
该模块还支持较高的工作温度(最高可达150°C),适用于恶劣的工业环境,并具备良好的抗热疲劳能力,延长了使用寿命。其栅极驱动电压范围较宽(±20V),便于与各种驱动电路兼容,提升设计灵活性。
APT100GT120JR广泛应用于多种高功率电子系统中。它常用于工业变频器和伺服驱动器中,作为核心功率开关器件,实现高效的电机控制。在可再生能源领域,该模块可用于太阳能逆变器和风力发电变流器中,负责将直流电转换为交流电并馈入电网。
此外,APT100GT120JR也适用于不间断电源(UPS)系统、电焊机、电动汽车充电设备以及轨道交通牵引系统等场合。其高可靠性和优异的电气性能使其成为许多高要求应用中的理想选择。
APT100GT120JN、APT100GJ120JR、STY100ST120V