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IXTY48P05T 发布时间 时间:2025/7/3 8:51:15 查看 阅读:7

IXTY48P05T是Infineon(英飞凌)公司生产的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-263-3封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器等场景中。其设计目标是提供高效率和低导通电阻的解决方案,适用于各种工业和消费类电子设备。
  该器件具有快速开关速度和较低的栅极电荷,使其在高频应用中表现出色。同时,它具备出色的热稳定性和耐用性,确保在严苛的工作环境下仍能保持可靠性能。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷(Qg):15nC
  总功耗:215W
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

IXTY48P05T采用了先进的工艺技术制造,具有以下特点:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),从而减少导通损耗并提高整体效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用场景。
  3. 具备优秀的热性能,能够在高温环境中稳定运行。
  4. 提供卓越的电气特性和可靠性,满足严苛的应用需求。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

IXTY48P05T主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级控制。
  2. 各类电机驱动电路,例如无刷直流电机(BLDC)控制器。
  3. 负载开关和保护电路。
  4. DC-DC转换器和逆变器。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 汽车电子系统中的大电流开关应用。

替代型号

IXFH48P05T, IXTH48P05T

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IXTY48P05T参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥32.91000管件
  • 系列TrenchP?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)50 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)48A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)30 毫欧 @ 24A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)53 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3660 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252AA
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63