时间：2025/7/22 20:15:50
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APT10050LVFR是一款由Advanced Power Technology公司生产的高性能功率MOSFET场效应晶体管，专为高效能、高频率的功率转换应用而设计。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于DC-DC转换器、同步整流器、电机控制以及电源管理系统等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：100A
漏极-源极击穿电压（VDS）：50V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为6.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至+175°C
APT10050LVFR具有优异的导通性能和开关速度，能够在高频率下运行，从而减小外围电感和电容的尺寸，提高系统效率。该MOSFET采用低热阻的封装设计，具有良好的散热性能，适合在高功率密度应用中使用。此外，该器件还具备较高的耐用性和稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持良好的性能。
其栅极驱动电压范围较宽，支持从4.5V到10V的驱动电压，适用于多种驱动电路配置。该器件的封装设计优化了电流路径，降低了寄生电感，有助于减少开关损耗并提高系统的可靠性。APT10050LVFR还内置了ESD保护结构，增强了器件在复杂电磁环境中的抗干扰能力。
APT10050LVFR广泛应用于各类功率电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统以及工业自动化控制设备。其高效率和高频率的特性使其特别适用于需要紧凑设计和高可靠性的电源系统。
IRF1010E, SiR100N50, FDP100N50
