时间：2025/8/4 18:52:27
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APT1004RBN-BUTT是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电流和高频率开关应用。该器件采用先进的硅技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和卓越的热性能。其封装设计优化了热管理，能够在高负载条件下保持稳定工作。APT1004RBN-BUTT广泛应用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制和电池供电设备等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：260A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大3.7mΩ（在Vgs=10V）
功耗（Pd）：320W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
APT1004RBN-BUTT具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻，确保在高电流应用中减少功率损耗并提高效率。该器件的高栅极电荷（Qg）优化了开关性能，使其在高频开关应用中表现出色，同时降低了开关损耗。其封装形式采用表面贴装技术，提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于自动化生产流程。此外，APT1004RBN-BUTT具有高雪崩能量耐受能力，确保在极端条件下仍能保持可靠运行。其内部结构设计减少了寄生电感，提高了整体的动态响应性能。在过热保护和过流保护电路中，该MOSFET能够提供稳定的性能，确保系统在异常情况下仍能安全运行。
该器件的栅极驱动要求适中，适合与多种驱动IC配合使用，尤其在同步整流、Buck/Boost转换器和H桥电机控制中表现出色。其高耐压能力使其能够在高压环境中稳定工作，适用于工业自动化、汽车电子和可再生能源系统等应用。
APT1004RBN-BUTT广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统（如DC-DC转换器、负载开关和电池充电器）、电机控制（如H桥驱动和PWM控制）、工业自动化设备（如PLC和伺服驱动器）、汽车电子（如车载充电器和电机控制模块）、可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电控制器）等。在高功率密度和高效率要求的应用中，该MOSFET能够提供优异的性能表现。
APT1004RBN, APT1004RBNL, APT1004RBU, APT1004RB
