类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-8A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-32A
　　导通电阻（RDS(ON)）：3.2mΩ（@VGS=-10V）
　　导通电阻（RDS(ON)）：4.0mΩ（@VGS=-4.5V）
　　栅极电荷（Qg）：11nC（@VGS=10V）
　　输入电容（Ciss）：970pF（@VDS=15V）
　　开启延迟时间（td(on)）：6ns
　　关闭延迟时间（td(off)）：18ns
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：PowerDI5060 (SOT1227B)

APM9935K采用先进的沟道MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，使其在大电流应用中表现出色，显著降低导通损耗，提高系统效率。其RDS(ON)在VGS=-10V时仅为3.2mΩ，在同类P沟道器件中处于领先水平，适用于对能效要求较高的电源管理系统。由于是P沟道结构，该器件特别适用于高端开关应用，例如在电池供电系统中作为电源路径控制器或反向电流阻断器，无需额外的自举电路即可实现简单高效的控制。
　　该器件的栅极阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，确保在低电压逻辑信号下仍能可靠开启，兼容3.3V及5V逻辑电平，增强了其在现代数字系统中的适用性。同时，较低的栅极电荷（仅11nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动功耗，有助于提升高频开关应用下的整体性能。其输入电容为970pF，在高速开关场景中能够有效减少开关延迟，配合仅6ns的开启延迟时间和18ns的关断延迟时间，使APM9935K非常适合用于同步整流、负载开关和DC-DC变换器等需要快速响应的应用场合。
　　APM9935K采用PowerDI5060封装，该封装具有优异的热性能和电流承载能力，底部带有暴露焊盘，可直接连接到PCB的散热区域，实现高效的热量传导，从而在高功率密度设计中保持较低的工作温度。这种封装形式还支持自动化贴片生产，提高了制造效率和产品一致性。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，增强了在恶劣环境下的运行可靠性。工作结温范围从-55°C到+150°C，表明其不仅适用于常规消费类电子产品，也能胜任工业控制、汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场景。

APM9935K常用于各类需要高效功率开关的电子系统中，典型应用包括便携式设备中的电池电源管理、移动电源的输出开关控制、笔记本电脑和智能手机中的DC-DC降压变换器、LED背光驱动电路以及热插拔电源模块。其P沟道特性使其在高端开关配置中无需复杂驱动电路，因此广泛应用于负载开关、电源路径选择和过压保护电路中。此外，该器件也适用于电机驱动、USB电源开关、充电管理IC的配套功率级以及各类嵌入式系统的电源分配网络，尤其适合对空间和效率有严格要求的设计。

AO9935, FDMC9935, SI2335DS, BSS84