容量：2Gb
　　类型：LPDDR3 SDRAM
　　封装：FBGA
　　数据速率：667MHz / 800MHz / 1600Mbps
　　电压：1.5V / 1.35V
　　组织结构：x16
　　行地址位数：15位
　　列地址位数：10位
　　刷新周期：64ms
　　工作温度：-40°C ~ +85°C

H5MS2G62MFR-K3M具备多项先进的技术特性，以满足现代便携设备对性能和能效的高要求。该芯片采用了低功耗DDR3（LPDDR3）技术，能够在1.5V或1.35V电压下运行，显著降低功耗，从而延长电池寿命。此外，其最高数据速率达到1600Mbps，支持快速的数据传输，提升系统响应速度。
　　芯片采用x16的组织结构，提供2Gb的存储容量，适合用于需要大内存缓冲的应用场景。其FBGA封装方式具有较小的体积和良好的散热性能，适合高密度PCB布局设计。此外，该芯片支持多种频率模式，包括667MHz、800MHz等，可根据系统需求进行灵活配置。
　　为保证数据的稳定性和可靠性，H5MS2G62MFR-K3M内置自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，确保数据在低功耗状态下仍能保持完整。其工作温度范围宽广，支持-40°C至+85°C的工业级温度范围，适应各种严苛的工作环境。

H5MS2G62MFR-K3M广泛应用于高性能移动设备中，如智能手机、平板电脑、便携式游戏机和嵌入式系统。其低功耗和高速传输特性使其成为需要高效能与节能兼顾的设备的理想选择。此外，该芯片也可用于工业控制设备、车载信息系统以及消费类电子产品中的主内存或缓存存储模块。

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